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本文系统论述了碲镉汞薄膜材料的国内外研究情况，阐述了金属有机气相外延(MOVPE)的基本生长原理和具体的生长技术。论文从生长薄膜所用的有机源的选择开始，系统讨论了气相外延生长碲镉汞薄膜材料的各个工艺环节，以及对最后生长的碲镉汞薄膜材料的影响。得出有机源的纯度是制约MOVPE法生长碲镉汞薄膜材料的关键技术，在满足纯度的情况下，有机源的热分解的温度尽可能的降低。
在衬底选择上，GaAs是较好的替代衬底而CdZnTe是目前最好的用于生长HgCdTe薄膜材料的衬底，但由于CdZnTe衬底生长技术的难度，单晶材料仍然有许多生长工艺要提高，才能满足碲镉汞薄膜材料的需要。
在MOVPE生长的各个工艺环节，对最后的碲镉汞薄膜材料质量有较大的影响，优化各个工艺可以获得较好的碲镉汞薄膜材料。通过本文论述，得出IMP工艺是一种生长碲镉汞薄膜材料的较好方法，生长出的薄膜材料可以完全满足探测器要求，组分在0.20-0.22之间，最好的X射线半峰宽(FWHM值)可以到小于50 arcsec，位错密度在低系数的10<6>cm<-2>。