【摘 要】
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为了研究绝缘衬底上薄膜太阳电池的制备工艺,我们采用自己制作的SIMOX-SOI材料为衬底,用RTCVD外延晶硅薄膜,在国内首次成功制备了SOI薄膜太阳电池,其最好效率为10.62﹪.在绝缘
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为了研究绝缘衬底上薄膜太阳电池的制备工艺,我们采用自己制作的SIMOX-SOI材料为衬底,用RTCVD外延晶硅薄膜,在国内首次成功制备了SOI薄膜太阳电池,其最好效率为10.62﹪.在绝缘衬底上制备薄膜太阳电池的最大特点是基区电极和发射区电极都从正面引出.对采用这种电极引出方式的SOI薄膜太阳电池的串联电阻进行了详细分析,推导出了电池基区串联电阻表达式.对正面引出双电极方式进行了研究,设计了两种不同的正面双电极图形.通过理论分析及实验结果的对比发现,正面的发射区电极和基区电极互相交叉排列能更好地收集光生电流,有利于获得高效率.该文的SOI薄膜电池制备工艺和电极引出设计为各种绝缘衬底或有绝缘中间层的薄膜太阳电池的研究提供了良好的基础.
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