准确获取材料的复折射率对于热辐射领域的辐射特性计算是十分重要的,不但可以求解微观尺度的Maxwell方程组,也可用于表观热物性的计算,为求解宏观尺度的辐射传输方程做准备。对于航天器热控材料,其复折射率随温度升高而变化,目前高温下的热控材料复折射率严重缺失,这制约了热控材料的发展。本文主要对几种典型材料的光谱复折射率进行了椭偏实验研究,并分析了温度对材料复折射率的影响,基于第一性原理对复折射率进行了理论预测,并分析了折射率温度依变性对光栅辐射特性的影响。本文使用了红外光谱椭偏仪IR-VASE测量了不同锶元素掺杂浓度的锰酸锶镧材料的复折射率,测量的温度范围为300-773 K,波长范围为5-20μm。结果表明,LSMO样片的光学常数随锶元素掺杂比例及温度升高的变化较为明显。在室温下,当锶元素掺杂比例较低时,锰酸锶镧样片的折射率n和消光系数k随波长变化曲线都存在明显的特征峰值,满足经典洛伦兹模型的特征,说明此时样片绝缘性质明显,而随着锶元素比例的增加,特征峰值消失,样片绝缘性质减弱,金属特性增强,随着温度的升高,样片的绝缘体特性增强,金属特性减弱,这是由于基于双交换效应的金属—绝缘体相变原理。使用了光谱椭偏仪V-VASE测量了过渡金属W和Mo,以及Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs晶体在在一定温度范围内的复折射率,对于W和Mo金属,随着温度升高介电函数虚部峰值位置红移,展宽增加,GaAs晶体的介电函数随温度的变化规律更为复杂,并分析了复折射率的温度依赖性和热光系数。应用第一性原理对W和Mo金属以及GaAs晶体的介电函数进行了计算,计算结果与参考文献及实验测量结果进行了对比并给出了误差可能的产生原因。本文运用了基于严格耦合波分析理论的rcwa-1d开源程序包计算了LSMO、W金属和GaAs晶体的一维矩形光栅的变温辐射特性,并分析了不同材料的光栅结构其吸收率和反射率等辐射特性随温度变化的规律,最后分析了吸收峰处的磁场分布情况,结果表明LSMO光栅吸收峰的产生是由于材料本身的吸收作用,而W金属和GaAs晶体光栅吸收峰的产生则是由于发生了磁极化共振。