有机无机杂化钙钛矿材料由于其具有优异的发光性能、良好的电荷输运性、灵活的带隙可调谐性以及极高的颜色纯度,被视为下一代显示照明光源的极佳选择。由于独特的量子限域效应,低维的有机无机杂化钙钛矿拥有比三维材料更佳的光致发光性能,基于低维钙钛矿的发光二级管（PeLED）器件有望实现更高外量子效率（EQE）。本论文以简单的溶液法为基础,通过在钙钛矿前驱液中加入不同量的PEABr,制备了一系列的低维FAPbBr₃钙钛矿薄膜。其中在PEABr添加量为0.4时制备了EQE为14.27%的PeLED器件。同时,为了进一步提升低维FAPbBr₃ LED器件的EQE,同时采用了Cs掺杂和离子液体晶粒表面钝化的策略。获得了最大EQE20.2%,最大亮度达到26220 cd·m^-2的低维FAPbBr₃ LED,这是目前已知EQE最高的低维绿光PeLED器件。此外,与常见的有机无机杂化钙钛矿相比,CsPbBr₃钙钛矿热分解温度更高,在制备长运行寿命PeLED方面显示出独特的潜力。然而,CsPbBr₃基钙钛矿缺陷态密度高和成膜质量差。为了制备高效率高运行稳定性的CsPbBr₃ PeLED,对CsPbBr₃进行钝化是必需的。在本论文中,我们利用软路易斯碱4-三氟甲基苯甲酸根与软铅之间的强结合力,以及钠离子对钙钛矿晶粒生长的限制作用。获得了最大EQE为16.86%,且在初始亮度为100 cd·m^-2时半衰期寿命超过128小时的CsPbBr₃基PeLED。