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采用射频磁控溅射技术,在玻璃衬底上成功制备出了具有TiO2缓冲层的AZO薄膜。利用XRD和扫描电镜(SEM)等分析手段对薄膜的结构和表面形貌进行了表征；利用霍耳测试仪和分光光度计分别对薄膜的电学和光学特性进行了测量。分析了缓冲层厚度对AZO薄膜特性的影响；对样品进行了真空快速退火处理,研究了快速退火对不同厚度缓冲层的AZO薄膜的影响以及退火前后样品性质的变化；在空气气氛下对样品进行了热处理,研究了温度变化对薄膜特性的影响,以及缓冲层厚度对薄膜稳定性的影响。具体结果如下：1.衬底温度为室温下,制备了具有不同厚度缓冲层的AZO薄膜样品,膜层总厚度为610nm,X射线衍射实验结果表明：glass/TiO2/AZO薄膜是多晶薄膜。在衍射角20=20°-80°范围内的X射线衍射图谱中,可以明显观察到ZnO的(0 0 2)衍射峰,并发现随TiO2缓冲层的厚度增大,薄膜晶粒有增大的趋势。测量薄膜样品的电学特性发现glass/TiO2/AZO薄膜为n型半导体,当Ti02缓冲层厚度为3.6 nm时,薄膜电阻率达到最小值5.9×10-4Ω-cm,与相同厚度的glass/AZO薄膜相比,电阻率下降了65.3%,透过率也高于glass/AZO薄膜。glass/AZO薄膜和glass/TiO2(3.6 nm)/AZO薄膜的禁带宽度分别为3.52 eV和3.58 eV。2.将制备的薄膜样品放在快速退火炉中退火,真空度为0.1 Pa,退火温度为500℃,退火时间为120 s。退火后的薄膜与退火前的薄膜做对比研究发现,退火处理后,所有glass/TiO2/AZO薄膜的品质因子都明显变大,并发现具有TiO2缓冲层的AZO薄膜与单层AZO薄膜相比,其(00 2)衍射峰强度明显变强,电阻率下降,平均透过率略有增大。比较glass/TiO2(3 nm)/AZO薄膜退火前后的性能,发现退火后薄膜衍射峰峰位更接近于标准值,晶粒尺寸增大,应力减小,电阻率由9.45×10-4Ω·cm减小为4.57×10-4Ω·cm,退火后的样品透过率曲线出现蓝移,退火前后的光学能隙分别为3.58 eV和3.61eV。3.在空气气氛下对薄膜样品进行了热处理,研究其稳定性。发现加热温度低于300℃时,薄膜性能几乎没有变化。当温度高于300℃时,薄膜性能变差,但随着TiO2缓冲层厚度的增加,方块电阻增大变缓,透过率变化不大,其大小为90%左右。相同处理温度下,glass/TiO2(4.8 nm)/AZO薄膜的晶粒尺寸要大于单层AZO薄膜晶粒尺寸。经400℃热处理后,薄膜性能变化较大,薄膜的吸收边均发生红移现象,glass/TiO2(4.8 nm)/AZO薄膜的光学带隙较单层AZO薄膜的宽。