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本文讨论纤锌矿AlxGa1-xN异质结构中界面光学声子散射和界面粗糙度散射对电子气分布的影响. 首先，讨论纤锌矿A1N/AlxGa1-xN/AlN量子阱中界面光学声子对电子迁移率的影响. 通过数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程，获得三元混晶此类系统中二维电子气(2DEG)中电子的本征态和本征能级.利用雷一丁平衡方程，讨论界面光学声子对电子迁移率的影响.在计算中，我们对AlxGa1-xN中的体纵声子采用修正的无序元素等位移(MREI)模型，横光学声子则分别采用线性拟合(LF)和二次多项式拟合(QPF)方法，计算获得界面声子对电子的散射作用.结果表明，用LF方法获得的电子迁移率高于用QPF方法计算的值.随着Al组分的增加，两种方法之值均逐渐单调增加，且变化趋势类似.在适当的Al组分时，两种方法得到的电子迁移率都存在极值点. 然后，探讨纤锌矿AlxGa1-xN/GaN异质结构中界面粗糙度对电子气分布的影响，作为电子迁移率计算的前期工作. 对三元混晶纤锌矿AlxGa1-xN/GaN异质结构，通过数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程，获得二维电子气中电子的本征态和本征能级.比较了理想界面和非理想界面产生的压电极化电荷对电子态的影响.结果表明，界面粗糙度的主要贡献在于产生体压电电荷，并且该类电荷在接触面向两侧按指数规律衰减，衰减深度约为2nm.当x=0.5时，界面粗糙度的等效面电荷大约是理想情况下界面电荷的2倍.界面粗糙度对2DEG的分布有较大影响.