半导体器件微型化是电子产业的一个重要发展方向，由于Flash存储构造的限制，其尺寸已经走到了理论极限32nm。阻变存储器主要在器件结构、制备工艺和存储容量等方面具有优势。它是最有望取代Flash存储器的新一代存储器。　　本文利用磁控溅射方法，制备了Al/TiO2/ITO、Al/TiO2/Pt和Cu/TiO2/Pt三种不同器件结构的阻变存储器，使用半导体参数测试仪对器件性能进行了测试。当制备压强为1.0Pa、功率为100W，Al/TiO2/ITO器件展现出良好的阻变特性，多次循环以后器件的高低阻值比大于10。Al/TiO2/ITO器件属于双极性阻变存储器，其Set过程发生在负半轴，Reset过程发生在正半轴，这主要是由于Al电极与薄膜的接触面被氧化为AlOx造成的。当阻变层TiO2薄膜厚度改变，器件的开启电压随着薄膜厚度的增大而增加，这主要是离子迁移率受到电场强度的影响所导致的。通过使用不同的顶电极诱导出不同的阻变机理，Al/TiO2/Pt器件引出了SCLC机制，薄膜内部缺陷对电子的捕获与释放实现了高低阻态的转变，它属于双极性阻变存储器，在多次循环以后耐受性很低。Cu/TiO2/Pt器件引出了导电细丝机制，通过实验证明了其导电细丝的成分是Cu，器件属于ECM型双极性阻变存储器，器件的开启过程与关闭过程受扫描电压的影响很大，这是电场积累作用的效果，器件实现高低阻态的转变主要是导电细丝的形成与断裂，其阻变机制是SCLC机制和导电细丝机制一起作用的。