碳化硅半导体材料是自第一代半导体材料晶体硅和第二代半导体材料砷化镓之后快速崛起的,即第三代半导体材料。其禁带宽度比硅和砷化镓更宽,具有更高的热导效率、更高的击穿电场以及高饱和电子速度,这些优越的特性决定了碳化硅半导体材料能够工作在强离子辐照场及极限温度等苛刻环境下。本文中,我们自行设计了等离子体辐照平台,利用射频放电技术在真空室内产生等离子体,其优点在于它能够产生密度高、稳定性强、分布均匀的等离子体；采用980nm红外激光加热技术对样品进行加热,从而满足辐照所需温度；同时利用红外测温仪对样品温度进行实时监控,通过改变激光功率保证其温度在实验要求范围内；产生的等离子体在外加负偏压电场下被加速,以一定的动能注入到样品上。实验用等离子体辐照平台对n型SiC半导体材料进行辐照,保持辐照温度和能量不变,改变辐照剂量；通过扫描探针显微镜观察辐照后的样品；随着辐照剂量的增加,样品表面肿胀逐渐增多并变大；用扫描探针显微镜纳米压痕模式及纳米划痕模式,对辐照后的碳化硅材料硬度进行分析；另外利用导电式原子力显微镜对样品导电性进行分析,结果表明当辐照剂量超过1X10~16ion/cm2时,半导体材料失去其特有的导电特性,电流电压曲线变为一条直线,材料导电性质变为欧姆导电；通过X射线衍射仪对其进行光学特性分析。