氧化物透明导电膜是重要的光电子信息材料，其导电率接近金属的数值并且在可见光区具有高的透过率。优良的光电特性使透明导电膜在太阳电池、显示器等众多领域得到了广泛的应用。多年来人们对透明导电膜的制备技术和特性进行研究，发展了多种制备氧化物透明导电膜的方法，主要有溅射法、蒸发法和化学气相沉积法等。在本论文中，我们采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了MgZnO∶Al透明导电膜，详细叙述了薄膜的制备过程，探索了薄膜的最佳制备条件和工艺参数，并系统地研究了工作气压、溅射功率、衬底温度和退火处理对薄膜的结构、表面形貌以及光电特性的影响。MgZnO是一种新型Ⅱ-Ⅵ族宽禁带三元化合物半导体材料，由ZnO和MgO按一定组分固溶而成，镁离子和锌离子在各自氧化物晶格中互相替换形成替位式混晶。ZnO是纤锌矿结构，六方晶系，MgO是NaCl结构，立方晶系。由于镁离子和锌离子半径接近，形成Mg_xZn_1-xO替位式混晶后引起的晶格畸变较小。通过改变其中Mg和zn的含量配比，可使Mg_xZn_1-xO （0＜x＜1）的带宽从3.3～7.8eV连续可调，并且其晶格由ZnO的六角纤锌矿结构向MgO的立方结构转变。通过对MgZnO掺杂，可以改善其导电性。在室温下，MgZnO薄膜对可见光的透过率高达85％以上，与纯ZnO相近。MgZnO优良的光电特性，使其在日常生产生活中有重要应用。采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出的Mg_0.1Zn_0.9O∶Al薄膜为多晶膜，具有六角纤锌矿结构和（002）方向的择优取向，衍射角2θ位于34.6°附近。实验结果表明，Mg_0.1Zn_0.9O∶Al薄膜中没有MgO分离相，表明镁原子占据了六角晶格中锌的位置。不同溅射Ar气压下制备Mg_0.1Zn_0.9O∶Al薄膜，随着溅射气压的增加，薄膜的衍射峰强度减小，半高峰宽增大。薄膜的电阻率随溅射气压的增大而减小，由2.5Ωcm下降到0.5Ωcm。当溅射气压大于2.5Pa后，薄膜的电阻率略有增大。在可见光区薄膜的平均透过率都达到了90％以上。薄膜的带隙宽度大约为3.62eV。随溅射功率的增大，Mg_0.1Zn_0.9O∶Al薄膜的生长速率增加，晶化程度变好，晶粒增大。薄膜的电阻率随溅射功率的增大而减小，当溅射功率大于100W后，电阻率略有回升。随溅射功率的增大，薄膜样品在可见光范围内的平均透过率逐渐下降，光学带隙逐渐减小，这可能是由于薄膜厚度变大的缘故。随着衬底温度的增加，薄膜的衍射峰强度逐渐增加，半高峰宽减小，晶化程度变好，衬底温度为180℃时，衍射峰有最小的半高峰宽，此时薄膜的晶粒最大，结晶程度最好，温度继续升高，薄膜的晶化程度略有下降。Mg_0.1Zn_0.9O∶Al薄膜的电阻率随着衬底温度的升高而逐渐下降，这是由于载流子浓度和迁移率随衬底温度的变化关系所决定的。在衬底温度为180℃时，电阻率达到最小，约为9.0×10^-2Ωcm，温度继续升高，电阻率略有回升。薄膜的霍尔迁移率随衬底温度的升高而增大，在衬底温度为180℃时，霍尔迁移率有最大值3cm²V^-2s^-1。薄膜的载流子浓度随衬底温度的升高也逐渐增大。衬底温度对薄膜的透射率影响不大，平均透射率在90％以上。样品的带隙宽度大约为3.62eV。对Mg_0.1Zn_0.9O∶Al薄膜进行真空退火处理。随着退火温度的升高，衍射峰的强度增大，半高峰宽减小，晶粒增大，说明薄膜的晶化程度随着退火温度的升高而变好。薄膜的电阻率随着退火温度的升高逐渐降低，最低为1.5×10^-2Ωcm。这主要是由载流子浓度的增加和迁移率的提高引起的。真空退火的主要目的就是要减少薄膜中的氧吸附和晶粒间界散射，提高载流子的浓度和迁移率。随着退火温度的升高，薄膜的载流子浓度稍有增加，迁移率明显提高，最高为7cm²V^-1s^-1。退火后，薄膜的透射率仍保持在90％以上，禁带宽度稍有增加，大小为3.65eV，这是由于带尾态的减少和Burstein-Moss移动引起的。采用射频磁控溅射的方法在玻璃衬底上制备Mg-（0.1）Zn_0.9O∶Al薄膜，其最佳的制备工艺参数为：溅射功率100W，溅射气压2Pa，然后在真空中进行400℃退火处理。在上述条件下制备的Mg_0.1Zn_0.9O∶Al薄膜的电阻率为1.5×10^-2Ωcm，载流子浓度为6.5×10¹⁹cm^-3，霍尔迁移率为7cm²V^-1s^-1，薄膜在可见光区的平均透过率达到了90％以上，禁带宽度为3.65eV。