近年来,二维（2D）过渡金属硫化物（TMDs）由于优异的物理性质及其在电子、光电子和储能转换等方面的应用而受到广泛的关注。以二硫化钼（Mo S2）、二硫化钨（WS2）为代表的VIB族超薄原子层范德华（Vd W）结构具有天然的带隙、较高的载流子迁移率、自旋-轨道耦合效应等出色的特性,这些特性与层数依赖的电子结构密切相关,通过异质结、固溶体和同素异构等方式实现精确的能带调控十分重要。优异的性质和可调谐的能带结构使得二维材料在场效应晶体管（FET）、光电探测、多功能存储和超导等领域有着巨大的应用前景。目前,化学气相沉积（CVD）已经成为大规模制备原子薄层二维材料的主要方法,但是,由于过渡金属氧化物（MOx）较高的熔点和生长中较低的蒸汽压,可控、高质量的TMDs生长仍然存在困难。二维材料成核和CVD生长中的反应机理尚不明确。能够简单制备界面清晰的面内异质结技术对未来的器件应用十分关键。另外,由于碲原子金属性较强且与过渡金属原子结合能较弱,使用CVD方法制备二维碲化物及固溶体存在一定挑战。如何实现二维材料可控的相选择性生长还需要进一步讨论。本论文发展了一种氯化钠（Na Cl）辅助制备单层Mo S2、WS2,及一步生长面内异质结的CVD方法,实现了大尺寸、无掺杂、高质量的可控生长。揭示了Na Cl在降低反应温度和辅助生长中的机理,证明了反应中形成含Na的中间物质可以作为前驱体被硫化生成二维材料。在此基础上,我们利用氢气（H2）在CVD生长中的调节,实现了不同组分WS2（1-x）Te2x（0<x<1）固溶体的制备和2H相与1T’相的选择性生长,分析了不同相结构中S、Te原子的分布规律,并对固溶体中随组分变化的光学性质与电学性质展开了深入地讨论。综上,本论文具体的研究内容如下:（1）氯化钠辅助生长高质量单层Mo S2、WS2及其面内异质结发展了一种Na Cl辅助生长大面积、高质量单层Mo S2、WS2,及一步生长面内异质结的CVD方法。系统研究了Na Cl含量、生长温度和气流等条件对材料生长的调控影响。拉曼（Raman）、光致发光谱（PL）和高分辨电镜（HRTEM）等表征证明,反应中Na Cl不会在晶格中引起故意掺杂或者明显的缺陷。制备的Mo S2-FETs具有最高24.5cm2V-1s-1的电子迁移率和107开关比,表现出与氧化物前驱体生长相当的电学特性。由于Na Cl的引入优化了Mo S2、WS2的反应窗口,使得两种材料可以先后在内、外核连续一步生长,Raman成像和透射电镜（TEM）证明本论文中一步法制备的面内异质结具有清晰的异质界面。（2）氯化钠辅助生长的机理分析研究与单独使用二氧化钼（Mo O2）和三氧化钨（WO3）氧化物前驱体相比,Na Cl的引入可以在生长中分别降低100和200°C的反应温度,实现Mo S2和WS2的大尺寸生长。使用化学表征方法分析了前驱体在反应中的变化过程,首次论述了Na离子在Na Cl辅助生长中的作用机理:蒸发的Na Cl与MOx可以在衬底上生成含Na的三元中间产物NaxMOy颗粒,一方面这些颗粒可以在衬底上提供成核点,另一方面,它们还可以作为金属源前驱体在衬底上被逐步硫化最终形成单层的Mo S2/WS2材料。衬底上残余未反应的含Na物质可以通过湿法转移去除。这种Na Cl辅助的方法还可以生长VIB族硒化物如二硒化钨（WSe2）、碲化物如二碲化钼/二碲化钨（Mo Te2/WTe2）,具有推广到制备其他二维材料和异质结、合金的潜能。（3）单层2H/1T’相WS2（1-x）Te2x固溶体的可控制备和相调控通过H2在生长中的调节,制备了不同Te组份的单层WS2（1-x）Te2x固溶体（x=0-1）,Te组分的变化可以实现半导体2H相（x<50%）与半金属1T’相（x>50%）之间的转化。在固溶体过程中,2H相材料的光学带隙随Te组分的增加从1.97 e V减小到1.67 e V,而在1T’相中发生淬灭。首次报道并分析出Raman光谱随合金组分的变化规律。微观电镜分析表明在2H相中,Te原子随机分布在硫属原子格点;在1T’相中,S原子选择性分布在W原子链周围的硫属格点。最后,研究了固溶体制备的FETs电学特性,在半导体相中,Te原子的引入会引起材料的p型掺杂导致晶体管阈值的正漂;在半金属相中,S原子同样会调整合金材料的电导行为。