铁电陶瓷是一种非常重要的功能材料,广泛应用于人类生活和生产的各个方面,如国防军事、航空航天、电子通信、医学领域、工业领域、日常家电等。本文采用传统固态反应烧结法分别成功制备了LiNbO₃和（BaTiO₃）_0.5-(BiMg_0.5Ti_0.5O₃)_0.5（简写为BT-BMT）掺杂的位于钛酸铋钠-钛酸钡（BNT-BT）基准同型相界附近的（1-x）(Bi_0.44Na_0.44Ba_0.12TiO₃)-x（LiNbO₃）和（1-x）(Bi_0.445Na_0.445Ba_0.11TiO₃)-x(（BaTiO₃）_0.5-(BiMg_0.5Ti_0.5O₃)_0.5)无铅弛豫铁电陶瓷。系统研究了不同掺杂含量对两个体系的微观结构、介电性能及其强场电学性能（主要包括其电致应变、能量储存以及电卡制冷）的影响。研究结果表明:1)随着LiNbO₃掺杂量的增多,陶瓷样品的晶粒度减少,致密度增加,相结构将由铁电四方相（P4mm）向弛豫反铁电四方相（P4bm）发生转变,同时其介电弛豫弥散度增加。适量的掺杂能够提高陶瓷的强场电学性能,在100 kV/cm的电场下,掺杂量为x=0.03时,陶瓷样品在303 K至383 K温区内的电致应变具有较高的温度稳定性,室温下其应变量（S）为0.34%,主要归结于样品中弛豫反铁电四方相（P4bm）的增加;在100 kV/cm的电场下,掺杂量为x=0.06时,室温下获得最佳的储能性能,储能密度（W）和储能效率（η）分别为0.67 J/cm³和49.31%,主要归结于掺杂导致的陶瓷样品从典型铁电体转变为弛豫型铁电体;在70 kV/cm的电场下,掺杂量为x=0.04时,掺杂引起的相变诱导了一个最大的负电卡效应,其电卡制冷温度变化（（35）T）和熵变（（35）S）分别为1.71 K和-2.25 J/（K·kg）。2)纯的BNT-11BT和纯的BT-BMT组分陶瓷的相结构分别以铁电相和弛豫反铁电相为主,BT-BMT的掺杂会导致（1-x）（BNT-11BT）-x（BT-BMT）)陶瓷的相结构由铁电四方相（P4mm）向弛豫反铁电四方相（P4bm）转变,且适量的BT-BMT掺杂可以提高陶瓷的强场电学性能。在100 kV/cm的电场下,掺杂量为x=0.16时,陶瓷样品的电致应变效应最佳,其应变量（S）为0.37%,相较于LiNbO₃掺杂的陶瓷样品,其应变量（S）有一定的提升;在100 kV/cm的电场下,掺杂量为x=0.24时,室温下获得最佳的储能性能,其储能密度（W）和储能效率（η）分别为0.78 J/cm³和50.51%。在60 kV/cm的电场下,在掺杂量为x=0.16时,因掺杂引起的相变诱导了一个最大的负电卡效应,其电卡制冷温度变化（（35）T）和熵变（（35）S）分别为为2.17 K和-3.87J/（K·kg）。