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本论文对于利用异质外延技术来实现大失配材料单片异质兼容和利用低温晶片键合技术来实现大失配材料的准单片异质兼容的若干理论机理进行了系统的分析，并在实验上对各自实现的方法进行了多方面的探索工作，主要成果如下：
1.针对低维大失配材料外延的相关问题，用有限元方法系统地分析了大失配应变量子点系统的弹性应力和应变场的分布。
2.理论止分析了外延层的应变以及外延层和衬底间失配位错产生及演化的机制。
3.进行了大失配异质外延材料的测试与分析工作。
4.用静态线性弹性力学的有限元方法分析了图型外延方法中衬底刻槽图案能释放应变的机理。
5.利用接触弹性力学的DMT理论，导出了晶片键合的实际接触面积，有效键合能。
6.理论上从由最小能量原理导出的键合条件出发，利用线性薄板理论，在同一理论模型框架下分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对键合的影响。
7.利用结构力学模型和有限元分析方法，分析了InP/GaAs晶片键合时界面热应力分布。
8.主导研制并建立了晶片键合质量红外光学透射测试装置，取得了预期的测试效果。
9.对晶片表面预处理工艺进行了实验研究和工艺探索。
10.进行了键合晶片的反射谱无损测试。