【摘 要】
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随着集成电路技术的广泛应用及集成度不断增加,超大规模集成电路芯片的功耗也在不断的提高,必将引起芯片内部的温度不断提高。如果温度超过器件所允许的过热温度点就可能对芯
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随着集成电路技术的广泛应用及集成度不断增加,超大规模集成电路芯片的功耗也在不断的提高,必将引起芯片内部的温度不断提高。如果温度超过器件所允许的过热温度点就可能对芯片产生永久性的损害。为了保护芯片使其免受温度的损坏,采用低电源电压和低功耗电路设计技术的同时,有必要在芯片内部设置温度传感器,进行过热保护。由于BiCMOS工艺的高速、电流驱动能力强和模拟精度高以及低功耗、低电压的特点正被越来越多地用于一些模拟电路设计中,所以设计出可复用和与BiCMOS工艺兼容的过热保护电路具有重要意义。 温度传感器和保护实现是过热保护电路的设计关键,而低电压、低功耗是过热保护电路的重要设计指标,也是本文设计的重点。 论文利用晶体管的VBE随温度升高而减小和△VBE随温度的升高而增加的特性设计出温度传感器,双向检测温度的变化,实现了过热保护,并解决了过热保护温度点反复开关的热震荡问题。采用0.6umBiCMOS工艺参数,对电路进行Hspice模拟仿真,并与文献中提出的过热保护电路进行比较。结果表明,该电路具有关断和开启阈值点的准确性强、对温度灵敏度高、超低静态电流和超低功耗的特点,并且该电路结构简单,对因电源电压、工艺参数变化而引起的过热保护阈值点漂移有很强的抑制能力
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