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该文首先对负阻器件数学模型的发展进行了综述.根据Gunn器件GaAs材料的半导体物理特性,由载流了所满足的Poisson主程和电流连续性方程入手, 分析了器件内部场分布特性,并采用数值法获得了Gunn器件的基波大信号特性.在此基础上,求解谐波振荡工作状诚下的大信号特性,建立了描述Gunn器件谐波特性的数学模型.根据所建立数学模型提出了一种新颖的波导型谐波振荡器电路结构;阐述了该结构的特点;进行了电路设计;进而完成了器件制作.最后,论文对如何选择谐波特性良好的Gunn 器件来制作W频段谐振荡器的方法进行了简要介绍.