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本文以60Coγ射线作为辐照源，采用100rad(Si)/s和10mrad(Si)/s两种不同辐照剂量率。针对基区表面掺杂浓度不同的NPN型双极晶体管，通过电性能和微观缺陷分析两种手段，研究基区表面掺杂浓度不同的NPN型双极晶体管电离辐射损伤效应的基本特征。 研究结果表明，100rad(Si)/s与10mrad(Si)/s剂量率辐照条件下，随着吸收剂量的增加，基极电流明显增加，且逐渐趋于饱和，集电极电流几乎无变化;电流增益倒数变化量先增大后趋于饱和。通过对比分析两种基区表面掺杂浓度不同的晶体管可知，基区表面掺杂浓度高的晶体管对电离辐射效应表现更为敏感，电离损伤更加严重。 在给定的高、低剂量率辐照下，基区表面掺杂浓度相同的NPN型双极晶体管的退化规律基本保持一致。低剂量率10mrad(Si)/s辐照条件下，相同基区表面掺杂浓度的双极晶体管电流增益退化严重，表现出低剂量率增强效应(ELDRS)，且基区表面掺杂浓度越高，晶体管的ELDRS效应就越明显。 基于深能级瞬态谱分析可知，不同基区表面掺杂浓度的晶体管均在300K和150K附近出现特征峰，表明辐照在晶体管内部主要产生两种缺陷类型，峰值位于150K左右代表氧化物电荷陷阱，峰值位于300K左右代表界面态陷阱。高掺杂晶体管DLTS信号峰向中心温度靠拢，证明基区表面掺杂浓度较高的晶体管DLTS缺陷能级接近禁带中部位置，表明基区表面掺杂浓度较高的晶体管对电离辐射效应表现更为敏感，晶体管损伤更加严重。