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ZnO作为一种性能优异的光电材料,受到了世界各国研究人员的广泛关注。随着纳米科技的发展,低维ZnO纳米结构作为构筑柔性光电器件的基本单元吸引了大家的研究兴趣。但未经调控的ZnO存在着各种缺陷,通常不能直接应用。ZnO的带隙对光电子性质起着重要的作用,并决定着它们的应用。常通过掺杂方式调节带隙以实现新的应用。薄膜技术的进步使得柔性器件应运而生,比如可弯曲晶体管和可伸缩电路,这些技术的进步使得制造电子产品更加容易。然而,没有柔性材料的优化组合,是难以制造出更加完美的柔性器件。因此,想要实现ZnO在柔性器件中的应用,必须探索出适用于ZnO的柔性衬底材料。本研究正是基于此背景展开研究,采用简单水热法在双层柔性衬底上制备Ag-ZnO/PET-GR、In-ZnO/Cu-GR、Ag-ZnO/Cu-GR三种复合纳米结构,研究Ag、In掺杂浓度对结构和性能的影响,进而揭示掺杂ZnO/柔性衬底的复合结构演变、复合发光及光催化等性能以及相关机制。采用离子溅射结合低温水热法合成了不同Ag掺杂浓度Ag-ZnO/PET-GR复合结构。研究结果表明:ZnO表面形成了Ag金属颗粒负载,Ag成功进入ZnO晶格;随着Ag掺杂浓度的变化,ZnO形貌基本没有发生明显改变,均为纳米棒状结构,且随着Ag掺杂含量的增加,倾斜生长越明显,纳米棒的尺寸也逐渐减小。ZnO薄膜的禁带宽度随Ag掺杂含量的增加而降低,并可表达为Eg(eV)=3.12-0.0122xAg的线性关系。掺杂5%Ag的Ag-ZnO薄膜具有最大的载流子浓度,最高的迁移率和较小的电阻率,较好的电学性能。对催化活性较高的5%Ag-ZnO薄膜形貌修饰后,获得了高催化活性。采用金属柔性衬底Cu-GR,以In为掺杂元素利用简单水热法成功合成了不同In掺杂的In-ZnO/Cu-GR复合结构。研究结果表明:Cu-GR衬底和ZnO晶格失配导致ZnO纳米棒无法在衬底表面垂直生长。In-ZnO/Cu-GR复合结构的PL谱存在近紫外发光发射峰和可见光区的宽蓝色发射带;随着In掺杂浓度的增加,蓝色发射带峰强先增加再减小,而紫外发光峰基本不变,对光催化性能有着重要影响,峰强低,催化效果好。衬底和掺杂元素均对复合结构的催化活性有影响。利用简单水热法在Cu-GR柔性衬底上合成了具有特殊形貌的Ag掺杂梳状ZnO纳米结构,并对不同浓度Ag掺杂ZnO纳米结构演变机制进行了探讨。随着Ag掺杂量的增加,沉积在Cu-GR衬底上的ZnO表现出(101)择优取向,形成的ZnO纳米片为ZnO梳状结构的生长提供了位点。随着浓度的继续增加,ZnO形貌发生改变。Ag-ZnO/Cu-GR复合结构具有较好的催化活性,随着Ag掺杂含量的增加而增加,其性质与阻抗谱也有关系,阻抗谱电阻越小,光催化效果越好。