紫外光电探测器在民用、科研和国防等多方面都有非常重要的作用。现阶段的紫外探测器、光电倍增管等都以硅为基体,存在体积大、功耗高、响应速度慢、寿命短、易损坏、需滤光膜等缺点,已不能适应现代高速信息化对各类紫外传感器的需求。因此研究和开发小型化、智能化、可靠性高、成本低的新型固体半导体紫外光传感器已成为一项紧迫的任务和重要的课题。TiO2是一种禁带宽度为3.0eV-3.2eV的宽禁带半导体材料,具有选择性吸收紫外光及光伏特性等性质,而且物理性和化学性都比较稳定,以其作为基体材料来研究新型紫外探测器,可以有效解决SiC、GaN等宽禁带半导体在制备大面积、阵列化紫外探测器和紫外成像系统时缺乏合适衬底的困境,克服目前惯用的制备宽禁带半导体材料在设备和工艺上所存在的限制,有效解决目前紫外探测器阵列与外围电路互连困难的问题,因而具有重要的科研价值和广泛的应用前景。本论文所研究的是利用TiO2材料在紫外探测方面的独特的优势,以其做为基体材料研制紫外测试仪。主要包括以下几部分内容首先,实验采用溶胶凝胶法在硅衬底上制备了纳米TiO2薄膜,利用X光衍射分析、原子力显微镜、扫描电镜、X射线光电子谱和紫外可见吸收光谱等手段对薄膜材料的性能进行表征,研究并总结了提高基体材料性能的实验条件,制备出功能较好的纳米TiO2薄膜。然后,我们用制备好的TiO2薄膜做为基体材料,以Pt为金属电极,制作了MSM型紫外探测器件。我们对制作好的探测器件进行了性能的测试,在5V偏压下,暗电流为1.6nA。当有紫外光照在器件上时,可以看到明显的光响应。在260nm的紫外光照射下,光电流为517μA,与暗电流相比提高了5个数量级。在光响应度方面,当光波长到达330nm附近时,有一个明显的吸收边,与材料的吸收光谱有很好的符合。在260nm处,光响应达到最大值,为362A/W。最后,根据TiO2的光电特性,当TiO2接收到的紫外光强度增大时,TiO2紫外探测器件会产生更多的光生电流,与探测器相连的负载电阻的两端电压增大,经测量可得到入射光强与负载电阻两端电压的非线性关系,我们以此关系编写程序,设计外围电路,制作了功能完整的TiO2紫外测试仪。经多次测试显示,实验制作的TiO2紫外强度测试仪响应迅速,测量准确,达到了设计目标要求。