近年来,准一维纳米材料已经成为纳米材料科学中的前沿领域和研究热点.由于其拥有的奇异性能,准一维纳米材料对于基础科学研究及其在纳米结构器件中的潜在应用都非常重要.当前准一维纳米材料研究的一个重要方面就是探索和发展有效的、可控的制备技术.本论文选择几种氮化物为研究对象,发展了其制备技术,初步探讨了工艺参数对准一维纳米材料可控生长的影响,讨论了生长机理,研究了产物的物性.论文的主要研究内容及创新点包括以下几个方面:1.开发了一种非常简便的气相反应制备技术,即将单晶硅片在流动的氨气和氮气混合气体中加热到1250℃,实现了大量高纯度单晶氮化硅纳米线的生长.这一方法简便易行,是获取氮化硅准一维纳米结构的一个有效途径,以前未见报道.同时,结构分析表明:所制备的单晶α-Si<,3>N<,4>纳米线纯度高,产量大,表面光滑且直,结晶完美.其平均直径约在80 nm,长度达数十微米.2.采用氯化物辅助气相反应法,通过系统参数的合理控制,实现了不同形貌特征的氮化铝(AlN)一维纳米结构(纳米线、锯齿形纳米带、纳米带)的制备,对可控生长过程进行了分析探讨,这对于一维纳米结构的控制生长有着重要的参考价值.3.采用纳米SiO<,2>辅助生长法制备了α-Ge<,3>N<,4>纳米线,结构分析表明,其粗细均匀、外表光滑,纳米线直径在20~200 nm范围内,长度达数十微米.高分辨照片显示其结构为单晶.开发了氧化物辅助生长氮化物一维纳米结构的好方法,可以在其它氮化物的合成中予以适当借鉴.