GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器是近30年来迅速发展起来的一种半导体红外探测器,成熟的MOCVD、MBE等材料生长技术,使得它的能带结构可以任意剪裁,从而获得指定光响应谱,加之成熟的器件工艺,使得它在8～14μ长波大气窗口的大面积阵列红外探测的优势尤其突出。　　 GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器是利用子带吸来进行探测,常规GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器存在光电流小、暗电流大等缺点,我们尝试改进器件结构,进行外延制备,为制备高重复率、高性能的器件积累了经验。本文的研究内容主要包括:　　 1、介绍红外探测器的发展和GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的国内外发展状况,简单介绍了红外探测器的应用和GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的不足。　　 2、讨论了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的探测机制,对多种器件结构的特性进行了分析。　　 3、对采用隧道补偿机制的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器结构进行了改进,利用传输矩阵法和图解法对该结构的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器子能级位置进行了计算和设计。　　 4、利用MOCVD系统进行了外延材料的制备。对MOCVD系统外延材料的均匀性进行了调整,掌握了材料掺杂规律、确定了外延材料组分等外延生长的多项参数。　　 5、根据改进的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器结构进行MOCVD外延生长、器件工艺制备和性能测试。通过测试外延材料ECV、PL谱、x射线双晶衍射等确认外延生长状况,制备出器件后测其暗电流特性、黑体响应。分析器件存在的问题,提出改进措施。