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本论文对磁控溅射制备的SmCo、TbDyFe、SmCo／TbDyFe薄膜性质进行了研究，以期提高TbDyFe薄膜的磁致伸缩性能尤其是在低磁场下的磁致伸缩性能。 通过正交试验法得到了实验条件下镀制SmCo薄膜最佳的工艺参数：靶-基距6cm、功率80W、Ar气压强1.1Pa。研究了薄膜成分、厚度以及退火热处理对SmCo薄膜磁性能的影响规律。研究结果表明，由于杂质Fe的掺入降低了SmCo薄膜的磁性能；制备态SmCo薄膜为非晶态结构，矫顽力Hc随着薄膜厚度的增加而减小，剩磁比Mr／Ms随膜厚增加而增加；经过500℃真空退火热处理后，薄膜出现SmCos的结晶物，矫顽力Hc降低，Mr／Ms减小，磁化机制由畴壁钉扎类模型转为形核类模型。 完善了薄膜磁致伸缩系数测量结果的处理程序，研究了磁致伸缩薄膜在外场作用下薄膜弹性模量的变化对磁致伸缩值的影响，使测量得到的数据可靠性提高，数据的处理结果更符合实际。 研究了热处理对TbDyFe薄膜结构及磁性能的影响。结果表明，制备态薄膜为非晶态结构，经过500℃真空退火热处理后，薄膜出现了TbFe2的结晶物，薄膜的矫顽力和外场的饱和磁场大大降低，饱和磁化强度增强，初始磁化率提高，易磁化轴转向膜面。 对TbDyFe薄膜的磁致伸缩特性进行了研究。制备的TbDyFe薄膜的磁致伸缩值λ在H=100kA／m下达到120×10-6，在H=330kA／m时λ=240×10-6。退火热处理和衬底粗糙度的降低有助于薄膜磁致伸缩性能的提高。 对SmCo／TbDyFe复合薄膜磁致伸缩特性的研究表明，SmCo薄膜的复合能提高磁致伸缩薄膜的磁化率和饱和磁化强度从而提高TbDyFe薄膜磁致伸缩性能。制备的超磁致伸缩复合薄膜所达到的磁致伸缩值为：磁场强度H=100kA／m下λ=140×10-6，H=330kA／m下λ=320×10-6。