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半导体功率器件作为电力电子领域的核心部件,在电能变换、新能源开发等领域发挥着越来越重要的作用。其中,绝缘栅双极性晶体管(Insulate Gate Bipolar Transistor,IGBT)自20世纪80年代问世以来,凭借其独特的器件结构、同时拥有功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)简单驱动及双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)高电流密度等优点,已成为当前我国工业、交通、照明以及医疗等领域应用最为广泛的全控型功率电子器件。IGBT器件模型作为研制和应用过程中重要的辅助工具,一直是学术界研究的一个重点内容。一个精确的IGBT模型可以准确地评估一款IGBT器件的静态、动态特性,从而为公司IGBT的开发应用节省大量的时间和成本。因此,对IGBT器件模型的研究是具有重要实际意义的。本文首先介绍了半导体功率器件和IGBT的发展历程,并对IGBT在国内外的发展现状及应用前景进行了详细的调研。根据IGBT的结构特性,从其静态特性和动态特性出发,阐述了IGBT的工作原理,从而为IGBT模型的建立打下理论基础。对Pspice仿真软件进行简单介绍后,以该仿真平台为基础,将中科君芯Trench-FS(Field-Stop)型IGBT KWBW25N120S1E2作为研究对象,根据该器件的结构和工艺参数,得到其在Pspice上的模型参数,建立基于Pspice的IGBT模型。通过仿真测试IGBT模型的输出特性、转移特性曲线,验证了该模型的静态特性。通过双脉冲测试,得到IGBT开通延时、上升时间和下降时间以及关断延时等动态参数,将这些参数与实测数据比较,验证了模型的可行性。最后,本文在Pspice仿真软件平台上搭建了ZX7-250逆变焊机仿真测试电路,将该模型应用到实际电路仿真测试中,进一步验证了该IGBT模型的合理性与可靠性。