双脉冲测试相关论文
在高频电子设备以及电力电子装置中，开关器件的动态性能是重要的指标之一，通常采用双脉冲测试电路来测试开关器件的动态性能。为降低......
随着人们对Si材料的研究趋近物理极限,材料性能更佳的SiC材料成为功率半导体芯片研究重点。与Si IGBT结构相比,SiC MOSFET芯片存在......
SiC MOSFET作为新兴的宽禁带半导体，目前在电源设计中被广泛用于取代Si IGBT。然而在弹载电源这类严苛的应用场合，SiC MOSFET关断暂......
期刊
针对超结场效应晶体管(SJ-MOSFET),利用工艺仿真建立多次外延离子注入和深槽刻蚀2种不同P柱形貌的器件结构,对比研究了不同工艺、......
本文简要阐述了如何对大功率IGBT进行开关特性的测试,以优化大功率变流器的功率模组设计,从而提高大功率变流器功率模块的稳定性.......
为设计一款保护J-TEXT托卡马克电子回旋管的高压固态开关,新型宽禁带半导体SiC-MOSFET凭借低开关损耗、高耐压和MHz级别的开关频率......
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的快速开关动作会产生较大的电压变化率和电流变化率,这可能会导致严重的过电压和电磁干扰(EMI)问题,从......
功率器件在开关过程中的电压尖峰、电流尖峰及开通时间、关断时间等问题是评估一款器件乃至电力系统装置可靠性的重要因素。文中从......
针对氮化镓器件高频开关动作,开关电流难以准确测量的难题,提出了一种基于对称印制电路板结构的高带宽电流检测方法。该方法利用电......
双脉冲测试是一种广泛应用于绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)驱动设计及开关特性分析的测试方法。但......
随着电力电子行业的飞速发展,绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)迅速成为了研究的热点。近年来,IGBT正......
碳化硅(SiC)MOSFET是一种很有前景的开关式电力电子变换器器件。更宽的带隙、更快的开关速度和更高的导热系数,使得其在高压、高温......
学位
作为电力电子变换器核心之一的功率半导体器件,其每次更新都会使变换器性能得到提升。第三代宽禁带半导体器件以GaN为代表,与Si器......
与传统的硅基器件相比,碳化硅绝缘栅双极型晶体管(SiC IGBT)具有更小的导通电阻、更高的耐受电压以及更快的开关速度.由于这些优异......
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）以其优越的特性得到了广泛的应用，但其静态输出特性的测试一直缺乏一种简单准确的方法。此处在双脉冲测试的......
搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路、双脉冲测试电路和Buck电路,对1200V SiC MOSFET和Si IGBT的输出特性、漏电流、开关特性......
新型宽禁带半导体器件氮化镓晶体管相比传统硅器件在提高变换器频率、功率密度上有明显优势,拥有广阔的应用前景。本文针对高频高......
为了提高IGBT物理模型精度,本文通过分析IGBT内部工作机理,提出了一种基区载流子分布模型。该模型不仅考虑了载流子在基区的一维分......
以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体器件相比于传统Si器件,具有高击穿电压、高饱和漂移速度、高工作频率以及高工作结温等优点,可以大......
在IGBT关断的瞬态过程中,变流器杂散电感会使IGBT的集、射极之间产生较高的电压尖峰,从而造成较大的电磁干扰,甚至导致IGBT损坏。......
半导体功率器件作为电力电子领域的核心部件,在电能变换、新能源开发等领域发挥着越来越重要的作用。其中,绝缘栅双极性晶体管(Ins......
目前,柔性直流输电在全世界范围内,尤其是我国,都在朝着高电压等级,大容量方向发展,这无疑对其中关键设备换流阀和混合式直流断路......
研制的IGBT器件采用完全国产化芯片,通过ANSYS仿真软件对电磁场、热、应力分布等特性进行仿真,实现IGBT器件结构设计最优化;研制的......
首先讲述了250 kW和500 kW储能逆变器产品拓扑方案和IGBT模块选型。然后,详细说明了T型三电平的双脉冲测试方法,以及利用双脉冲测......
提出一种耐高温200℃的碳化硅MOSFET驱动电路。该驱动电路采用双极性结型晶体管(BJT)作为开关器件,避免了高温下硅基MOSFET关断能......
SiC MOSFET器件具有高耐压、低导通电阻、高频等优良特性,工业应用中具有明显优势,发展快速。本文首先阐述了SiC MOSFET主要特性,......
以对称的布板设计来实现4个6毫欧的碳化硅模块的并联,给出了实际的测量结果。最后还通过门特卡罗分析来演绎批量器件应用在并联场......
介绍了二极管中点箝位型（NPC）三电平功率单元的特点及吸收电路，分析了由于主电路漏电流的不同引起电容电压不平衡的问题，提出了一种电......
受制于硅材料的特性和器件的封装技术,硅功率器件的动静态性能进一步优化的空间有限,难以满足未来开关电源高效率和高功率密度的需......
随着第三代宽禁带碳化硅半导体器件的深入研究和逐渐市场化,碳化硅(SiC) MOSFET的优异性能也越来越受到人们的关注。为在PSpice仿......
通过搭建双脉冲试验电路对生产厂商的IGBT模块进行测试,分析在IGBT模块开通和关断过程中的关键特性和损耗,包括测量开通关断时间、......
以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的驱动为研究对象,提出了一种基于最小损耗的驱动最优设计方法。提出的方法包括驱动的可行性设计、建......
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)模块内部芯片布局及封装结构的不同引......
随着柔性直流输电技术朝着更高电压等级、更大系统容量方向的发展,作为其中关键设备的换流阀和混合式直流断路器对大容量IGBT器件......
在大容量电力电子装置中,母排的杂散电感在开关器件换流过程中会引入非理想的电压尖峰,并使得系统的电磁干扰进一步恶化。为分析与......
由于材料性能的不同,碳化硅MOSFET与硅MOSFET在电气特性方面存在一些显著差异,不能简单地将硅MOSFET直接替换为碳化硅MOSFET。为了......
先进的功率半导体器件是能量转换技术中最坚定的推动力。较之目前的硅(Si)材料,氮化镓(GaN)材料的绝缘击穿场强、饱和漂流速度、电......
随着兆瓦级变流器需求的与日俱增,IGBT并联方案目前已广泛应用在实际工程中。此处通过基于IGBT并联的风电变流器分析了IGBT并联的......
大功率H桥逆变器中广泛采用IGBT作为开关器件，传统的IGBT开关损耗计算是基于供应商提供的开关能量曲线，而该曲线上所提供的开关能量......
工业应用中需要根据工况选用合适的IGBT模块,不能直接参考模块数据手册上的数据来应用模块。本文针对特定的应用工况搭建硬件和软......
驱动电阻对IGBT特性有直接关系,针对大多数仿真软件对IGBT模型的建立不够准确,采用Ansys公司的Simplorer对IGBT进行参数化建模,并......
随着弧焊逆变电源向高频和高功率密度发展,更高电压及电流的变化率使寄生参数的影响更加突出。为解决系统设计者在缺乏芯片的工艺......
为了加快全碳化硅功率模块的实际工程应用,针对全碳化硅模块开通关断过程中电压电流变化率、栅极电压耦合、开通损耗和关断损耗开......
将宽禁带半导体器件SiC MOSFET引入电力电子变压器子模块的功率变换部分,通过提高开关频率、降低无源器件的体积及重量,可有效提高......
