随着第三代通讯技术的发展，声表面波(SAW)器件的使用频率不断提高，从最初的几MHz发展到现在的几GHz。高频应用系统的不断发展显著增大了高频声表面波器件的市场需求。金刚石具有所有材料中最高的声速和许多优于其它材料的特性，在高声速金刚石上沉积压电薄膜将激励出高速的声表面波，从而制作出工作在GHz级以上高频波段的薄膜SAW器件。 铌酸锂是一种重要的压电材料，根据理论计算，其与金刚石构成的多层膜结构具有高声速高机电耦合系数的特点。但是由于适用于SAW器件的压电薄膜必须具有较高的c轴取向，而高c轴取向的铌酸锂薄膜不易获得，这就严重制约了这种多层膜结构的发展与应用。本文就是围绕如何在金刚石衬底上沉积高c轴取向的铌酸锂薄膜而展开的。 本论文主要完成了如下内容： 首先，应用模态耦合模型(coupling of modes)，用Matlab模拟出IDT/LN/金刚石多层结构SAWF和YZ-LiNbO<,3>的SAWF的频率响应特性，说明多层膜结构SAWF的插入损耗要低，而且具有较宽的中心频带，对旁瓣抑制也得到极大的改善。因此，采用多层膜结构的SAWF可以使滤波器获得相对较宽的频带特性，而且对于复杂反射栅阵列来说，由于采用多层膜结构的SAWF能够获得较好的旁瓣抑制比，从而能够补偿因反射栅引起的相位误差，提高反射栅极的反射系数，更能便于滤波器的设计。 其次，采用RF磁控溅射法在金刚石衬底上制备铌酸锂薄膜，系统的研究了衬底温度、溅射压力、氩氧流量比以及溅射功率等因素对薄膜物性和取向的影响的影响，通过试验优化了LN薄膜的沉积工艺，制备出高C轴取向的LN压电薄膜。本文主要研究了氩氧流量比和气压对薄膜成分和取向的影响。 最后，本文在课题组提出高品质“压电晶体/高声速材料”多层膜体系“AIN/c-BN/diamond”多层膜结构基础上，在Si衬底上射频磁控溅射cBN薄膜作了初步研究，为下一步在金刚石上进行cBN的RF磁控溅射研究进行工艺摸索。