薄膜晶体管（thin film transistor,TFT）是实现高质量有源矩阵驱动平板显示的核心组件。碳纳米管（carbon nanotube,CNT）作为一种具有独特的力学、光学和电学性能的准一维材料,作为TFT的有源层具有巨大的应用潜力。为探索将其用于显示背板驱动电路,本文围绕CNT-TFT器件的构建以及性能的优化进行一系列的研究。首先,通过浸泡沉积法和浸渍提拉法分别沉积了CNT薄膜,并制备了CNT-TFT器件。优化发现分别在浸泡时间为20小时、提拉速度为3000μm/s时获得最好性能。对比发现浸渍提拉法的成膜效率更高、可重复性更好。但制备的器件表现出明显迟滞,对迟滞来源进行探究,在真空中迟滞下降了42%,表明CNT表面吸附的水/氧分子是主要原因。此外,仍残留的较大迟滞也表明栅介质上存在的其他电荷缺陷也是重要原因。然后,为了对迟滞进行抑制,分别使用全氟树脂（CYTOP）、聚酰亚胺（DL1000C）以及聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）等三种有机材料对CNT-TFT进行封装。发现CYTOP封装后迟滞仅下降了6%,其对迟滞无明显抑制效果。不同厚度DL1000C封装对迟滞的抑制基本维持在14%-15%,意味着其对水/氧分子阻隔能力差,亚阈值摆幅（SS）的降低表明其对迟滞的抑制能力主要来源于对栅介质上电荷陷阱的屏蔽;此外,封装后阈值电压(Vth)向正方向偏移,开态电流(Ion)增大,表明DL1000C对CNT有p型掺杂作用。PMMA对迟滞的抑制能力随膜厚增加而增强,其对水氧有一定的阻隔作用,SS的降低表明其对栅介质表面的电荷缺陷也有屏蔽作用。最后,由于有机材料封装对迟滞抑制效果不理想,使用原子层沉积（ALD）制备了氧化铪（Hf O2）和氧化铝（Al2O3）的单层薄膜和叠层薄膜对器件进行封装钝化。单层Hf O2对迟滞抑制效果较差,但对器件迁移率（μ）、电流开关比以及SS等性能参数有明显提升。单层Al2O3封装可以抑制79%的迟滞。5 nm/5 nm结构的Hf O2/Al2O3叠层结构表现出优异的迟滞抑制能力,在20 V的扫描范围迟滞可从11.06 V被抑制到0.48 V,高达96%的迟滞被抑制。同时,器件的μ、SS以及开关比等参数也获得提升。这归因于不同层之间的界面更有利于对水氧的阻隔以及ALD过程对栅介质表面的钝化。