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ZAlSil2Cu2Mg1合金铸造流动性好、无热裂倾向,但其硬度低、耐磨性差、抵抗腐蚀能力弱等缺陷影响其使用性能。采用微弧氧化技术在ZAlSil2Cu2Mg1合金表面原位形成致密陶瓷膜层,有望改善铝合金的耐磨、耐蚀等性能,发挥其性能优势,拓展其实际应用范围。前人的研究主要采用NaOH-Na2Si03复合电解液,但因该电解液中Na+含量多,影响微弧氧化过程稳定性,进而影响陶瓷膜性能。为此,本文采用KOH代替NaOH.以mSiO2nH2O代替Na2Si03,组成KOH-mSiO2-nH2O复合电解液并对ZAlSil2Cu2Mg1合金进行微弧氧化,分析研究微弧氧化陶瓷层的形成及特性。在KOH-mSiO2-nH2O复合电解液中,设定不同电解液组成、正负向电压、电源频率对ZAlSil2Cu2Mg1合金进行微弧氧化。测试了陶瓷膜厚度和耐磨性,采用SEM. XRD分析了陶瓷膜表面及截面形貌和相组成,分析了影响陶瓷膜形成的因素,并与NaOH-Na2SiO3和NaOH-mSiO2·nH2O复合电解液中所得陶瓷膜作性能对比。研究结果表明,在KOH3.45~4.25g/L+mSiO2·nH2O2.0g/L+Na2EDTA2.0g/L组成的电解液中,随着KOH含量增大,陶瓷膜厚度逐渐增加,膜厚最大可达200.1μm;KOH含量超过4.05g/L时,膜厚反而开始降低。KOH含量为3.85g/L时,陶瓷膜厚度达186.7μm,膜表面较光滑。在KOH3.85g/L+mSiO2·nH2O1.0~3.0g/L+Na2EDTA2.0g/L组成的电解液中,随着电解液中mSiO2·nH2O含量增大,陶瓷膜厚度同样呈现出先增加后减小的趋势。mSiO2·nH2O含量为2.0g/L时,陶瓷膜厚度达到最大值186.7μm。膜层光滑,表面较平整,膜层主要由Mullite、α-Al2O3相、γ-Al2O3相、χ-A12O3相组成,耐磨性好。正向电压在380V-440V变化时,未发现对陶瓷膜厚度、表面形貌和物相组成有明显影响。而负向电压在60-120V变化时,陶瓷膜厚度先略有下降,随后迅速增加大,微裂纹减少、形貌平整性渐好。负向电压为140V时,膜厚达到223.7μm。电源频率由50Hz增大至200Hz时,膜厚逐渐从245.2gm下降到101.9μm。但膜层表面变得更光滑,表面球形颗粒的尺寸也逐渐减小且相互连接紧密。陶瓷膜耐磨性有所提高。研究还发现,在其他电解液组分相同的条件下,以KOH代替NaOH时,微弧氧化过程中,放电过程更趋平稳,有利于陶瓷膜的形成。所获陶瓷膜厚度适宜、表面较光滑,耐磨性较好。