VDMOS(垂直导电双扩散场效应晶体管)器件具有高输入阻抗、高开关速度、宽安全工作区以及很好的热稳定性等特点,广泛应用于移动通信、雷达、开关电源、汽车电子、马达驱动、节能灯等各种领域。由于我国90%以上VDMOS产品需要进口,因此对VDMOS器件的物理特性及电学特性研究与建模有着重要实际意义。通过使用器件模拟软件ISE,建立了VDMOS器件模型,比较了VDMOS器件的击穿电压和外延层浓度、沟道浓度的关系,分析了准饱和特性产生的原因和影响因素,提出了改进方法并进行了验证。通过参数模拟比较,得到了VDMOS设计的基本原则。在ISE平台上模拟并研究了VDMOS的电容特性,总结了栅漏电容Cgd和漏源电压Vds的关系;分析了栅氧层厚度和长度、漂移区浓度、沟道区浓度等参数对Cgd的影响。虚拟栅结构对电容特性的改善作用得到了验证。介绍并分析了对耐压作用有着明显提高的超结结构,对其工作机理以及存在的缺陷进行了阐述。同时引入了一种在工艺上更为可行的PFVDMOS(侧壁多晶硅),同样可以起到提高击穿电压的作用。通过将各种具有优良性能的结构进行整合,并且整体性能得到明显提高的前提下,提出了新的PFDG-VDMOS(侧壁多晶虚拟栅)结构。这一结构的各项电学参数通过ISE软件得到了验证,和传统VDMOS相比,得到了明显的提高。