本文基于GaAs光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switch:PCSS)和火花隙开关各自特性,介绍一种新型组合开关。新型组合开关结合一个传统GaAs PCSS和一个火花隙开关。GaAs PCSS作为火花隙开关的触发开关有其自身的优势：超快脉冲上升沿、高峰值电流、对激光触发脉冲快速响应。快速上升的高电压脉冲作为气体开关的触发脉冲,可以提高气体开关性能：输出脉冲上升沿更快、电流脉冲峰值更高,触发抖动减小,时间延迟减小,提高开关导通速度,还可以进一步实现高重复频率脉冲输出。本文通过对光电导开关和气体开关各种导通机理的分析,找出适合于新型组合开关的理论模型：光激发电荷畴模型和快电子逃逸模型。在组合开关理论分析的基础上,将两种开关组合方式以不同方式组合,在不同的实验参数下进行实验。其中,同轴线火花隙组合开关取得了很好的实验结果。在同轴线火花隙开关实验中,GaAs PCSS作为火花隙开关的触发开关,在短时间内提供了大于2倍火花隙自击穿电压场强的脉冲输入,这有利于火花隙开关中等离子通道建立；同时开关输出脉冲峰值比同等条件下单一GaAs PCSS输出脉冲峰值高出至少35%。基于光激发电荷畴模型和快电子逃逸模型,本文对于组合开关中GaAs PCSS和火花隙开关的导通机理做了定性的分析。由于在GaAs PCSS导通过程中其偏置电压迅速转移到火花隙开关上,GaAs电场迅速降低,此时GaAs PCSS并没有继续保持在非线性模式,所以组合开关也是一种提高GaAs PCSS使用寿命的方法。