纳米压印技术是继193nm光刻技术之后最有产业化竞争力的超大规模集成电路加工技术。目前,纳米压印抗蚀剂的研究主要有三个体系:自由基光聚合体系、阳离子光聚合体系以及混杂光聚合体系。含硅乙烯基醚化合物具有表面能低、热稳定性好、聚合物抗干法刻蚀性能好、阳离子聚合效率高、无氧干扰等优点,是用于阳离子光聚合体系和混杂光聚合体系纳米压印抗蚀剂的主要材料。论文设计合成了一系列含硅乙烯基醚单体,用于纳米压印抗蚀剂配方。　　 本论文合成了八种含硅乙烯基醚单体:1,3-二-(乙烯氧基乙氧基)四甲基二硅氧烷、1-乙烯氧基乙氧基三甲基硅烷、1-乙烯氧基丁氧基三甲基硅烷、1,1-二-(乙烯氧基乙氧基)二甲基硅烷、1,5-二-(乙烯氧基乙氧基)六甲基三硅氧烷、1,7-二-(乙烯氧基乙氧基)八甲基四硅氧烷、1,1-二-苯基-1-乙烯氧基乙氧基一甲基硅烷、1-苯基-1-乙烯氧基乙氧基二甲基硅烷。我们采用含羟基的乙烯基醚和含氯的不同结构的硅氧烷或硅烷发生取代反应,在硅结构上引入了乙烯基醚基团。本论文工作探索了合成反应的催化剂、反应温度及反应时间等条件对反应速率、产率及纯度的影响,并对合成反应条件进行了优化。对合成的单体进行了结构表征:对单体的粘度、紫外光谱以及热稳定性进行了检测。　　 本论文对八种乙烯基醚单体的光聚合性能进行了研究。研究表明,随着引发剂浓度(＜2.4wt％时)增加,单体聚合反应速率随之增大。双官能度的单体在聚合速率和诱导期上表现整体优于单官能度单体。含硅乙烯基醚单体的固化速率非常快,当产酸剂浓度为1.0wt%,光强为20mW/cm2时,15秒以内均已达到最大反应速率,4种单体的双键转化率在90%及以上。而双键转化率相对较低的单体,例如1,3-二(乙烯氧基乙氧基)四甲基二硅氧烷(DC%约为70%),可以通过增加产酸剂浓度或光强来提高。　　 结合理化性质和光聚合反应研究总结,其中的七种单体具有优良的光聚合性能和合适的粘度,适合用作紫外纳米压印抗蚀剂。剩下的一种单体可与稀释剂(如乙烯基醚单体)组合成为光致抗蚀剂配方。