本文利用WIEN2k软件对TXTe₃（T=Cr,Al;X=Si,Ge,Sn）的晶体材料以及单层MoS₂进行第一性原理计算,分别采用两种不同的交换关联势研究它们的电子结构特性和热电输运特性。（1）利用第一性原理计算研究了CrXTe₃（X=Si,Ge,Sn）的电子结构性质和热电性能。CrXTe₃（X=Si,Ge,Sn）都是间接带隙半导体,并且具有铁磁性。掺杂电子浓度为1×10²⁰cm^-3时,体系有较大的塞贝克系数和电阻率。发现对应的单层材料具有较大的禁带宽度。（2）利用第一性原理对晶体结构优化后的AlXTe₃（X=Si,Ge,Sn）的电子结构性质和热电性能进行了计算,研究发现在室温（300 K）下,AlSiTe₃功率因子可以达到0.38μW/（m.K2）,热电优值（ZT值）有望达到0.76。（3）AlSiTe₃和AlGeTe₃是直接带隙半导体,AlSnTe₃是间接带隙半导体。它们在空穴掺杂浓度为1×10¹⁸ cm^-3时,体系有较大的塞贝克系数和电阻率。（4）5×5×1的MoS₂超晶胞是直接带隙半导体,禁带宽度为1.927 eV。S原子的空位会使得禁带宽度变小,当空位被氧原子填充后,禁带宽度显著增大到2.127 eV。这些计算结果与我们实验的结果十分吻合,对其新颖的发光特性给出很好的理论解释。