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钙钛矿锰氧化物由于其电荷有序、自旋有序、晶格畸变以及轨道有序等多种自由度存在相互耦合，使得它在磁存储、自旋阀、磁传感器件和自旋晶体管等方面有着广泛的应用。由于对小型器件的需求，以及钙钛矿锰氧化物薄膜的制备技术的提高，人们在薄膜的制备和小型器件的研究方面取得了比较大的成果。La1-xCaxMnO3作为钙钛矿锰氧化物中典型的材料，引起了广大研究者们的兴趣，特别是近几年对该材料薄膜的研究，主要研究内容包括：整流特性、磁电阻效应、电致电阻效应、磁电容效应、电致电容效应和高低阻等等。
本论文主要研究La1-xCaxMnO3(LCMO)(x=0.2，0.3，0.375，0.4，0.5，0.6，0.7)薄膜随Ca掺杂浓度的变化其晶格常数的变化情况，以及LCMO/Sro.995Nb0.005TiO3(SNTO)p-n结的磁电容效应，磁电容效应的存在主要取决于LCMO中的相分离的现象。各章的主要内容如下：
第一章我们主要介绍了钙钛矿锰氧化物的基本性质，包括研究历史，晶体结构，磁结构和电磁相图；钙钛矿锰氧化物薄膜中的应力及其p-n结的研究进展；钙钛矿锰氧化物p-n结的磁电容效应和引起该效应的三个主要因素。
第二章主要介绍了La1-xCaxMnO3(x=0.2，0.3，0.375，0.4，0.5，0.6，0.7)薄膜的晶格常数随着Ca掺杂浓度的变化情况，从中我们得到了[(c-c0)/c0(％)]的值，按照一般情况来说，该值应该是负值，但是从Ca掺杂浓度为0.4起，该值变成负值，我们主要从三个方面来对该现象进行分析和讨论，我们认为以上现象主要是由薄膜和衬底的热膨胀系数不同所导致的。
第三章我们主要测量了La1-xCaxMnO3/SNTO(x=0.2，0.3，0.4)三个样品的磁电容效应，我们得出当x=0.3时的磁电容是最大的，磁电容的存在主要是由LCMO的相分离导致的。我们还用理想因子和磁性质分别解释了当x=0.2和x=0.4时磁电容比较小的原因。
第四章我们简要介绍一下金属-绝缘体-金属(MIM)和金属-铁电体-金属(MFM)的电阻转换效应。很多材料系统，如氧化物、有机材料和半导体等等都存在电阻的双稳态转变。这对将来我们研究非易失存储器具有重要的意义。导致MIM和MFM中存在双稳态或者多稳态的原因我们主要用三种物理机制来进行讨论：氧空位的电迁移；局部电流的形成或者传导丝的形成；局部自发极化的翻转。