近年来,随着光通信技术的飞速发展,人们对硅基光波导的研究也不断深入。硅基SiO₂光波导具有结构简单、传输损耗低、易于集成、性能稳定等优点,并且能有效的与光纤耦合,是较理想的波导材料,而且其制作工艺可采用成熟的半导体微细加工技术,具有工艺简单、重复性好、制作成本低等特点,所以这种波导日益受到人们的关注,成为光通信领域研究的热点。硅基SiO₂光波导目前已广泛用于研制Mach-Zender光干涉仪、热光开关阵列、分/合束器、放大器、窄带滤波器、方向耦合器、阵列波导光栅（AWG）等光通讯用器件。随着平面波导制作工艺的不断成熟和成本的持续下降,硅基SiO₂光波导集成器件在光通信领域的应用更加重要和广泛。为了制作出性能优良的波导器件,就需要对波导制作技术进行研究。本文主要研究等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备硅基SiO₂光波导薄膜材料,对制备的工艺步骤进行了描述,对实验的工艺进行了探索。本文首先介绍了硅基光波导的发展状况,介绍了制备硅基SiO₂光波导薄膜材料的主要工艺技术,并对各工艺技术进行比较,指出了PECVD技术的特点,以及采用此方法制作硅基SiO₂光波导薄膜材料的优势。阐述了用PECVD技术制备硅基SiO₂光波导薄膜材料的基本原理、设备结构和实验的基本工艺流程,采用不同的实验参数进行了薄膜沉积。对采用不同实验参数沉积得到的硅基SiO₂光波导薄膜材料,用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线光电子能谱（XPS）等方法对材料的表面形貌、粗糙度以及化学组成等特征进行了研究。分析了反应气体流量、反应室压强、气体流量比N2O/SiH4等实验参数与材料特征之间的关系。