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HgCdTe是一种非常重要的红外探测辐射材料。跟其它半导体材料相比，具有很多独特的优点，HgCdTe是由HgTe和CdTe合成的赝二元半导体直接带隙材料，通过控制其组分x的变化，禁带宽度可以从-0.3eV连续变化到1.6eV，进而可以响应0.7m25m的红外波段；HgCdTe材料具有很高的光吸收系数，用其制备的碲镉汞红外探测的内量子效率可以接近100%；HgCdTe材料与很多衬底有较高的晶格匹配度，可制备高质量外延异质薄膜。鉴于这些优异的光学特性，HgCdTe被用于制备高性能的红外焦平面阵列探测器，并且在制导、侦查、资源勘测等方面有了广泛的应用。随着第三代双色碲镉汞红外焦平面器件的发展，对HgCdTe材料在低功耗高性能方面有了更高的要求。但是长期以来，因为其内部较高的电阻和较低的载流子迁移率，一度成为影响其光电转化效率的重要因素，因此，寻求一种新的方法来提高HgCdTe材料的光响应率，已经成为当前发展的焦点。石墨烯是由单层碳原子构成的二维纳米材料，可将其看作单原子层的石墨。石墨烯是目前已知最薄、最坚固的材料。具有非凡的载流子迁移率200,000cm2V-1s-1，与现有其他纳米材料相比，具有良好的透明性和导电性。此外，石墨烯为平面结构，因此更容易与半导体器件制造工艺兼容，从而可以获得基于石墨烯的超敏超快高性能的探测器件。因为石墨烯具有超高的电子迁移率，还可以作为介质增强半导体中光生电子的迁移速率，降低载流子的复合几率。其具有的优异的力学、热学、和电学等特殊的物理化学特性表明，石墨烯非常适合于高性能复合材料的开发。本论文利用化学气相沉积（CVD）法和激光分子束外延（LMBE）法制备了石墨烯基HgCdTe复合薄膜材料。并对复合薄膜材料的各种物性进行了详细分析。主要内容如下：1.介绍了HgCdTe材料的研究现状和意义。2.介绍了HgCdTe薄膜以及石墨烯的各种制备方法、测试手段，详细介绍了本文应用的化学气相沉淀和激光分子束外延过程的原理和特点。3.用CVD法、LMBE法制备了单层、多层石墨烯基HgCdTe复合薄膜，并对复合薄膜材料的扫描电镜图谱，X射线衍射图谱、红外透过光谱、霍尔效应测试等数据进行详细的研究，分析了石墨烯层对复合薄膜的结晶，形貌，光电特性的影响。4.在金属Au衬底制备了HgCdTe薄膜，并与加入石墨烯层以后的复合薄膜材料进行对比，分析了石墨烯层对金属基衬底HgCdTe薄膜的影响。