隧穿磁电阻效应由于磁电阻效应大、耗能小等优点,在计算机硬盘的读出磁头、磁性随机存储器和各类磁传感器等方面有重要的应用价值．因为科技的进步，电子器件的尺寸在逐渐的缩小，所以介观领域中的电子输运受到了人们的极大关注。　　本文介绍了隧穿磁电阻效应以及与其相关的理论概念，然后在 Slonczwski的自由电子理论模型下，考虑外加微扰交变电场的影响，计算了铁磁体/绝缘体/铁磁体/绝缘体/铁磁体双隧道结中的透射概率、电导和隧穿磁电阻。　　首先，在铁磁体/绝缘体/铁磁体/绝缘体/铁磁体隧道结中不考虑微扰外场时，利用波函数匹配方法和转移矩阵法，求解出透射系数、电导和隧穿磁电阻，并作图分析．在研究中发现：分子场角度θ=φ=0时电导有最大值，TMR有最小值；而在θ=φ=π时电导有最小值，TMR有最大值；TMR随着电子入射能量E的增加先减少后增加，在E=0.25eV附近达有最小值；电子渡越时间随中间铁磁层宽度的增加而迅速增加。　　其次，考虑微扰交变电场的影响，计算出隧穿磁电阻随时间的变化情况，最后作图分析，得出：随着时间的增加，隧穿电导周期性向上振荡，而隧穿磁电阻周期性向下振荡；在入射电子能量E=0.25eV时，隧穿磁电阻随时间的增加周期性向上振荡，在其它入射电子能量时隧穿磁电阻随时间周期性向下振荡；随着分子场角度的增加，隧穿磁电阻随时间周期性向下振荡的初始位置变高。