【摘 要】
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该文在Si分子束外延(Si-MBE)系统中生长了三种硅基发光材料-富硅的硅氧化物(SiO)、Si/SiO超晶格、Si/SiGe量子阱.主要利用光致发光谱、透射电子显微镜、拉曼光谱、导纳谱对这
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该文在Si分子束外延(Si-MBE)系统中生长了三种硅基发光材料-富硅的硅氧化物(SiO<,x>)、Si/SiO<,2>超晶格、Si/SiGe量子阱.主要利用光致发光谱、透射电子显微镜、拉曼光谱、导纳谱对这几种材料的结构和光电特性作了研究.(1)在Si分子束外延系统中生长了优质的硅基发光材料富硅的硅氧化物(SiO<,x>),解决了以往这一材料组份不均匀的特点,同时也,首次研究了MBE系统中生长的SiO<,x>的结构和发光特性.(2)利用Si分子束外延系统的优点,我们尝试制作三种Si/SiO<,2>超晶格结构材料,各自的特点是:1.首次在MBE系统中制备了非晶Si/SiO<,2>超晶格,解决了其它小组在生长此类超晶格时Si/SiO<,2>层必须离位(离开MBE系统)氧化才能获得的缺点.2.生长了晶态SiO<,x>/晶态Si超晶格.3.制备了超薄氧化硅/c-Si超晶格.后两种材料为探索c-Si/SiO<,2>超晶格提供 一条途径.(3)利用导纳谱研究了Si/Si<,1-x>Ge<,x>量子阱结构基态能级的性质及高温退火对能级的影响.
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