Cu基块体非晶合金的离子注入及磁电阻效应研究

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本文采用铜模真空吸铸法成功制备了Cu55Zr40Al5和Cu48Zr45Al7两种成份的片状块体非晶合金并对其进行了离子注入处理,利用差示扫描量热法(DSC)、X射线衍射(XRD)、四探针法和X射线光电子能谱(XPS)等检测手段,研究了块体非晶合金Cu48Zr45Al7的晶化行为,块体非晶合金Cu55Zr40Al5的力学性能,注入离子的浓度分布,以及离子注入后非晶合金的相结构、显微硬度(HV)和磁电阻(MR)效应。得到如下的研究结果:1.块体非晶合金Cu48Zr45Al7的玻璃转变温度Tg、晶化初始温度Tx、晶化峰值温度Tp和过冷液相区宽度△Tx均随升温速率的增加而增大,具有显著的动力学效应,当其在升温速率为很小的情况下,晶化初始温度Tx会趋于恒定温度值492.5℃;块体非晶合金Cu55Zr40Al5试样的显微硬度(HV)数值随着退火温度的升高而变大,进行退火后的合金具有良好的耐磨性。2.钴离子和铝离子注入非晶合金试样后的DSC曲线晶化峰面积变大,晶化特征温度Tx和Tp的值均减小;表层基本保持着非晶弥散的漫射峰(35°-45°),但是在漫射峰附近(约32°)出现了较为明显的晶化衍射峰,主要有ZrO2等化合物晶化相形成;高能金属离子注入提高了块体非晶合金的表层显微硬度。3.钴离子注入块体非晶合金Cu48Zr45Al7表层后,其注入最大深度约为200nm,从表面至20nm时,钴元素浓度逐渐增大,随后深度增加至105nm范围内,其浓度逐渐减小,在105-130nm区间内,钴元素浓度逐渐增大到最大值,其后随着深度的增加,钴元素浓度逐渐减小,直至消失。4.离子注入后片状块体非晶合金表层电阻率变小,片状块体非晶合金Cu48Zr45Al7注入钴离子后,在恒定负载电流下,MR值随着磁场的增大而变大,且负载电流越小,其磁电阻效应越明显;在恒定的磁场下,随着负载电流的增加,其MR值逐渐减小,最后趋近于零,且磁场强度越大,这种现象越明显。
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