直接宽禁带半导体材料ZnO是第三代半导体材料的典型代表，其薄膜材料在光电、压电、气敏传感器、集成光学、透明导电薄膜等领域具有广阔的应用。本文采用RF磁控溅射法在玻璃和Si(111)衬底上制备ZnO薄膜，并对薄膜的结构性质、电学性能、光电性能等进行了表征。 在玻璃衬底上采用低磁控溅射功率(LP)沉积ZnO同质缓冲层，热处理后再在其上制备ZnO薄膜，系统地研究了LP缓冲层制备功率、缓冲层厚度、热处理条件等对其上沉积的ZnO薄膜性能的影响。实验表明，引入同质LP缓冲层后，可在较宽的RF功率范围内(30-500W)制备出(002)定向指数达0.97以上的ZnO薄膜，所有薄膜的电阻率均大于10<8>Ω·cm；随LP缓冲层厚度提高，ZnO薄膜的(002)定向性趋好，其结晶质量、晶粒均匀性、表面平整度等都得到改善，电阻率变化不大，并且薄膜具有较高的带边发射(NBE)强度，缺陷能级发光峰(PL)减弱；缓冲层溅射功率的提高不利于其上生长的ZnO薄膜(002)的定向；适当的热处理能提高ZnO薄膜的C轴取向性和结晶性能。本文还提出了LP缓冲层的生长过程模型，认为缓冲层厚度在超过一(002)取向渐变区后，才能提高后续沉积薄膜的定向性。 首次采用多步法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜，研究了RF功率对多步法ZnO薄膜性能的影响。结果表明，在30-300W的RF功率范围内，均可制得晶粒均匀致密、(002)定向性好的薄膜，但溅射功率的继续提高会影响薄膜的表面形貌。随溅射功率的升高，薄膜的可见光透过率降低，带隙变窄(从3.33eV降至3.28eV)，电阻率也从2.8×10<10>Ω·cm降至2.5×10<8>Ω·cm。本文建立了多步法生长薄膜的模型，认为通过沉积、热处理、再沉积、再热处理的过程，可逐渐填充ZnO薄膜内部的孔洞，从而制备出高质量的ZnO薄膜。 在Si(111)衬底上沉积不同功率的ZnO薄膜，与玻璃衬底上薄膜(LP缓冲层上制备或多步法制备)的性能进行对比研究。实验表明，在100-500W的功率下，玻璃衬底上(LP缓冲层上制备或多步法制备)的薄膜的(002)定向性均接近Si(111)衬底上薄膜；薄膜的结晶质量、表面平整度、晶粒的均匀性、致密性等均优于Si(111)衬底上薄膜：Si(111)衬底上的ZnO薄膜中内应力较大，导致薄膜局部开裂。对不同条件下制备的薄膜的拉曼光谱研究表明，除ZnO的特征拉曼峰外，在高功率溅射条件下，还首次发现了1080cm<-1>处非常尖锐的拉曼峰，且其峰强随功率升高而增强。1080cm<-1>处的拉曼峰可能是由Zni缺陷在ZnO晶格中的有序分布而形成某种形式的超晶格引起的。