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有机发光二极管(OLEDS)在近几十年内被人们广泛研究,并且因其低功耗、超轻薄、色域广、自发光、可柔性制作等极具竞争力的优势被广泛应用于显示面板和照明器具。然而,在大面积制备显示面板的产业化路途中,仍然有许多困难亟待解决。为了获得高效率器件,在目前OLED的发展阶段,对维持低驱动电压,对提高激子的利用率,对提高光耦合输出等都方面都进行了深入的研究。如今OLED中最高效的发光层都是基于主-客体系统,载流子是通过从电极注入经由缓冲层和有机传输层迁移到发光层中的。为获得低器件驱动电压,降低电极和传输层界面的注入势垒就显得尤其重要。电极和有机传输层界面处的能级不匹配是导致电荷的注入和传输比较差的主要原因。关于载流子从阳极的注入,多种有机无机半导体材料被用来作为空穴注入的缓冲层,其功函数必须能够和ITO阳极的功函数与有机空穴传输层(HTL)的HOMO能级形成空穴注入的级联效应。单一空穴注入材料在注入和传输上存在不足与缺陷,掺杂策略被普遍用于改善其光电性能。因此,本论文主要集中研究新型-掺杂型空穴注入材料从而提高OLED器件的性能。首先,我们采用低温燃烧化学的方法来替代传统上需要高温烧结(450℃)的溶胶-凝胶法去制备过渡金属氧化物-Ni Ox。低至200℃的退火温度使其能够适用于普遍采用的ITO玻璃基底。经由Cu掺杂后的Ni Ox在导电性和空穴注入能力上获得显著提升。UPS分析表明Ni Ox和Cu:Ni Ox的功函数能够匹配ITO阳极的功函数和HTL的HOMO能级,形成空穴注入的级联效应。在提高空穴注入的基础上,基于5mol%Cu:Ni Ox作为HIL的绿色磷光器件发光效率最高达到了85.3 cd A-1和77.3 lm W-1。相应的功率效率,与无HIL器件和PEDOT:PSS作为HIL的器件相比分别提升了26.9%和11.3%。第二,我们利用高效P型掺杂剂F4-TCNQ掺杂在水溶性较好的TS-Cu Pc中制备了有机复合薄膜作为HIL用于蓝色磷光器件。F4-TCNQ掺杂的引入可以抑制水溶性TS-Cu Pc薄膜退火后的结晶现象,从而提高复合薄膜的空穴注入能力。F4-TCNQ掺杂TS-Cu Pc复合薄膜具有两大优势:第一,可以显著提高TS-Cu Pc薄膜的功函数从而有利于空穴向HTL(TCTA)的注入;第二,可以显著提高TS-Cu Pc薄膜的空穴迁移率而利于空穴在HIL中的传输。基于TS-Cu Pc:F4-TCNQ(30 v%)复合薄膜作为HIL的器件发光效率最高达到了45.6 cd A-1和46.3 lm W-1,与PEDOT:PSS作为HIL的器件相比功率效率获得了超过43%的提升。