氮掺杂石墨烯/碳纳米管复合材料的界面设计及其电容性能研究

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  因此,针对以上问题,本文以氮掺杂石墨烯/碳纳米管为研究对象,以构造不同维度界面化学键接以及将复合材料致密化为目标,通过一种新颖的界面工程手段,对氮掺杂石墨烯/碳纳米管复合材料的制备和电容性能展开了研究,主要内容如下:
  (1)通过一步化学气相沉积法(CVD)在NiMgAl层状三元金属氢氧化物(LDHs)催化剂上生长得到氮掺杂石墨烯/碳纳米管(N-G/CNTs)复合材料。探究了三元金属催化剂离子比例、生长温度、甲烷流量、生长时间以及氮源种类对N-G/CNTs复合材料电容性能的影响;证实了N-G/CNTs复合材料中的石墨烯和碳纳米管之间通过共价键连接,促进了不同维度材料之间有效界面的构建,并且氮掺杂提高了N-G/CNTs复合材料的润湿性,有利于复合材料电化学性能的提升。
  (2)将NiMgAl层状三元氢氧化物(LDHs)生长得到的石墨烯/碳纳米管复合材料(G/CNTs)作为基体,然后设计一种新颖的界面工程方法在基体上“开枝散叶”以制备分形树结构的氮掺杂石墨烯/碳纳米管(N-G@CNTs)复合材料。该方法首先使用CO2蚀刻在基体内产生缺陷部位,以锚定金属纳米颗粒并接枝微小的氧化石墨烯(GO)片,然后通过化学气相沉积法(CVD)在金属纳米颗粒上生长作为“分枝”的CNTs,同时通过CVD将作为“叶子”的GO与基体共价键合,从而实现了N-G@CNTs复合材料的各组分功能一体化的分形树结构。探究了刻蚀顺序、浸渍Ni的质量百分比、G/CNT与GO质量比例、浸渍次数对N-G@CNTs复合材料电化学性能的影响。结果表明,优化的N-G@CNTs复合材料具有190.66m2/g的高比表面积,4-6nm的窄孔径分布,均匀的微观结构和组成分布以及良好的电子和离子传导性。N-G@CNTs电极表现出良好的电容性能,在0.2A/g的电流密度下具有198.1F/g的高比电容和在1A/g的电流密度下循环2000次后仍保持91.1%的循环稳定性。而且,由优化的N-G@CNTs复合材料组装而成的三个准固态对称超级电容器可以点亮LED灯,表明该材料极具应用潜力。
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