本文以10 rad/s的钴源作为辐照源，分别在20、50、75、100、125、150和200℃不同温度环境下进行辐照试验，对双极晶体管3DG110在不同辐照注量下进行电学性能测试。为确保试验的可靠性每组均有4个样品作为实验重复样品，电性能测试时间控制在较短时间内完成。　　通过电学性能测试和深能级瞬态谱(DLTS)测试分析不同温度下钴源辐照对双极晶体管辐射损伤的影响。研究结果表明，随辐照注量的增加双极型晶体管的基极电流均有明显变化，而集电极电流变化并不明显。对比DLTS测试结果与电学性能分析结果发现，在小范围内辐照温度升高会使双极晶体管的辐射损伤增强，但温度达到一定值后退火现象明显增强。　　分析电流增益倒数随温度的变化关系曲线发现曲线形状呈现M型，即损伤影响先增强后减弱，温度继续升高后损伤又出现先增强后减弱的现象。通过DLTS分析3DG110晶体管发现与氧化物电荷相关的E1缺陷，随温度升高峰值逐渐增加，峰值位置向高温端移动，这说明随温度升高缺陷浓度升高且缺陷能级增加，这是因为随温度升高氧化物陷阱电荷及界面态陷阱的增加与退火效应同时进行。