基于MEMS技术的硅微传声器是当今的一个研究热点。以往我们所制备的一般硅微电容传声器为了减小硅微电容器的体积，而需要缩减振动膜的面积；导致其灵敏度大幅度降低。在我们实验室，振动膜直径由1.8mm降到0.7mm时，灵敏度由-44dB下降到-60dB(ref.1V／Pa)。传声器的灵敏度与振动膜的张力成正比，降低振动膜上的张力，是提高传声器灵敏度较为可行的办法。本文的目的就是探讨降低振动膜张力的硅微传声器结构，提出它们的设计和制备工艺。　　 一类结构是振动膜外围部分进行减薄，通过膜沿径向的变化来使振动膜中央部分的应力降低；另一类方法是在振动膜外围开一些孔和或槽来释放张应力。经过分析，特别进行测试表明：其中二类结构取得比较好的结果。一种以用ICP刻蚀减薄振动膜外围的硅微传声器，它比普通均匀振动膜结构灵敏度提高6dB，在6v偏置电压下由-60dB提高到-54dB，9V偏置电压下达到-49dB。另外一种结构是振动膜外围开槽的结构，他比普通振动膜结构提高7dB，在6V偏置电压下由-60dB提高到-53dB，9V偏置电压下达到-48.5dB，约4mV／Pa。实验与理论分析是大致相符的，这表明降低振动膜张力是提高传声器灵敏度的一个有效方法。　　 这两种传声器达到的灵敏度已基本满足一般的需求，经过本论文的工作，作为进一步展望，我们提出一些可行的改进措施，可望进一步提高6dB或更高，届时硅微传声器灵敏度将完全满足实际的需求。