电针对大鼠脑缺血后脑水肿和血管新生的影响及其机制的初探

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中风为急性脑血管疾病,由于脑血管的破裂或阻塞导致局部神经细胞的损伤,引发神经障碍。它具有发病率高、死亡率高、致残率高和复发率高的特点,严重危害着人类健康,给社会和家庭带来了沉重的负担。如何更好地防治中风一直是人们关注的焦点。针灸治疗脑卒中在我国历史悠久,临床治疗中,针刺干预对中风患者功能恢复有良好的效果,但其治病机制尚未最终明晰。本研究在以往工作基础上,以大鼠大脑中动脉栓塞/再灌注(MCAO)为模型,观察电针干预对脑缺血再灌注损伤后的保护作用,并试图从脑水肿及血管新生角度,深入探讨脑内水通道蛋白4(AQP4)、琥珀酸受体(GPR91)以及血管内皮生长因子(VEGF)在脑缺血及针刺抗脑缺血中的变化,阐明电针抗脑缺血效应中的可能机制,为针刺疗法的临床应用提供科学依据。主要研究结果如下:一、电针对MCAO大鼠神经保护作用的观察1.电针能明显降低大鼠MCAO后的脑梗死程度。经过45分钟的脑缺血后,大鼠脑梗死程度随再灌注时间的延长有不同改变,再灌注后第3天,脑梗死体积显著高于再灌1天(P<0.05),再灌注后1周的脑梗死体积较第3天时有所减轻,但再灌注后2周时,脑梗死体积进一步增大(与再灌1周相比,P<0.05)。与脑缺血组相比,电针能明显降低MCAO后的脑梗死程度,在再灌注后第3天、7天、14天这三个时间点,其脑梗死体积相对于单纯缺血组均有显著统计学差异(P<0.01)。2.电针能明显降低MCAO后的脑水肿程度。脑缺血再灌注1天时缺血侧脑半球有比较明显的肿胀,再灌注3天时肿胀情况进一步加重,随后肿胀渐渐消退。与脑缺血组相比,电针能明显降低MCAO后的脑水肿程度,在再灌注后第1天、3天、7天、14天这四个时间点,其脑水肿肿胀率相对于单纯缺血组均有显著统计学差异(P<0.05)。说明大鼠脑缺血后脑水肿规律与临床上脑水肿规律基本一致,水肿高峰出现在再灌注3天附近,电针干预能明显减轻脑缺血再灌注后的脑水肿情况。3.电针减轻脑缺血再灌注后的血脑屏障开放程度。脑缺血45分钟再灌1小时血脑屏障开始破坏,可以观察到有IgG外渗,外渗情况在再灌注3天时最为显著,随后慢慢消散。电针组在各个时间点均未观察到有明显IgG外渗情况。4.电针进一步促进脑缺血后血管新生。脑缺血损伤后缺血脑区有一定程度的血管新生,再灌7天时,缺血侧脑区与缺血对侧脑区的血管新生程度几无差异,再灌注14天时,虽然缺血侧脑区的新生血管较对侧多,但仍无统计学差异。与单纯脑缺血组相比,电针干预能明显增加缺血侧的新生血管比例及单位面积新生血管数目(P<0.05)。二、电针减轻脑水肿及促进血管新生的机制初探1.脑缺血及电针对AQP4表达的影响脑缺血后,AQP4的表达在再灌注早期(1天内)随再灌注时间的延长而迅速增加。到再灌注7天和14天时,AQP4的表达明显回落。电针在再灌注极早期(1小时、3小时)时显著升高纹状体AQP4的水平(与脑缺血组相比,P<0.05),在再灌注6小时电针组AQP4水平明显小于脑缺血组(P<0.05),在再灌注后期(7天和14天),电针可减缓其下降趋势,再灌注7天时,其表达仍远高于单纯脑缺血组(P<0.05)。2.脑缺血及电针对GPR91表达的影响脑缺血再灌注后,GPR91的表达在再灌注极早期(1小时)即显著升高,并在再灌注1天内维持相对高的表达水平,再灌注后期(7天和14天),其表达显著下降。电针对GRP91的表达有动态调节:再灌注1小时,GPR91的表达显著升高(与脑缺血组相比,P<0.05),之后经历下降再升高的变化——再灌注3小时和6小时,电针组GPR91的水平明显小于脑缺血组(P<0.05),而再灌注24小时,其表达则显著高于脑缺血组(P<0.05)。脑缺血再灌注后期(7天和14天),电针延缓GPR91表达下降的趋势,再灌注7天时,其表达仍远高于单纯脑缺血组(P<0.05)。3.脑缺血及电针对VEGF表达的影响脑缺血再灌注后,VEGF的表达随再灌时间的延长而逐渐上升,再灌注24小时的表达水平高于正常对照组的6-8倍,在再灌注7天和14天时,其表达水平更甚于再灌注24小时的水平。电针干预后VEGF表达水平的变化趋势在再灌注24小时内与脑缺血相似,随再灌注时间的延长而逐渐上升。相对于脑缺血后VEGF的变化,电针对脑缺血后VEGF的调节较为复杂:再灌注1小时,电针组VEGF的表达水平明显高于脑缺血组(P<0.05),再灌注3小时,其表达显著低于脑缺血组(P<0.05),再灌注24小时,纹状体处VEGF的表达再次高于单纯脑缺血组(P<0.05)。再灌注7天时,皮层VEGF的表达继续上升,高于单纯脑缺血组(P<0.01),而纹状体VEGF的表达则明显低于脑缺血组(P<0.01)。再灌注14天时,电针组VEGF的表达显著低于同时间点的脑缺血组(P<0.01)。结论:1)电针能明显降低脑缺血再灌注后的脑梗死及脑水肿程度,并减弱血脑屏障的开放程度,具有对抗脑缺血后神经损伤的保护作用。2)电针可进一步促进缺血区域在再灌注7天后的血管新生。3)电针减轻脑水肿、促进血管新生的保护作用可能与其对AQP4、GPR91和VEGF表达的动态调控有关。
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