本文采用InP基InAlGaAs多量子阱激光器外延材料结构,利用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术和聚酰亚胺介质平坦化工艺,研制了多量子阱半导体环形激光器样品。微环谐振器在光通信方面具有广泛的应用。由于微环谐振器的谐振不需要腔面或光栅来提供光反馈,因此十分有利于和其他光电子元器件的单片集成。研制此类器件的目的在于利用该器件的光学双稳态特性,通过多环甚至环形阵列等结构来实现全光存储。首先通过计算器件参数,设计出多种合理的环波导与直波导尺寸及耦合距离;再利用干法刻蚀等半导体工艺技术加工出成品。在测试过程中,通过向环形结构谐振腔加正电压以实现光激射,然后借助紧邻的直线波导耦合将光信号输出。环形谐振腔在激射的过程中,受微环谐振方程的限制,会自动将谐振频率选定在1550nm左右。在测试过程中,需考虑光纤与直波导端口的耦合效率问题及器件的散热问题。用光纤与直线波导端口耦合测试了环形激光器的光功率-电流特性曲线和激射光谱,得出当环形谐振腔直径为700μm,波导宽度为3μm时,阈值电流为40mA,在注入电流120mA时从直波导耦合输出得到激射光谱的中心波长为1602nm,基本满足光通信的需要,为下一步实现光逻辑和光存储的基本功能打下了良好的基础,并结合光功率-电流特性曲线对环形激光器中的工作模式进行了初步分析。