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Fabrication of a novel RF switch device with high performance using In0.4Ga0.6As MOSFET technology
Fabrication of a novel RF switch device with high performance using In0.4Ga0.6As MOSFET technology
来源 :城市道桥与防洪 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Cgsking
【摘 要】
:
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥
【作 者】
:
Zhou Jiahui
Chang Hudong
Zhang Xufang
Yang Jingzhi
Liu Guiming
Li Haiou
Liu Honggang
【机 构】
:
Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beij
【出 处】
:
城市道桥与防洪
【发表日期】
:
2016年2期
【关键词】
:
RF switch
InGaAs
MOSFET
Ⅲ-Ⅴ CMOS
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该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥主桥连续预应力混凝土变截面箱梁2#~7#块、8#、8
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