n-GaAs和P-GaN晶片的直接键合

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shanyuqi0513

【摘要】

：

采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合．扫描电子显微镜观测结果表明，键合界面没有空洞．键合前后光致发光谱测试表明，键合工艺对材料质量影响不大．室温下界

【作者】

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李慧何国荣渠红伟石岩种明曹玉莲陈良惠

【机构】

：

中国科学院半导体研究所纳米光电实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年11期

【关键词】

：

光电集成直接键合 GAAS GAN optoelectronic integration direct wafer bonding GaAs GaN

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采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合．扫描电子显微镜观测结果表明，键合界面没有空洞．键合前后光致发光谱测试表明，键合工艺对材料质量影响不大．室温下界面的电流一电压特性表明，键合得到的n-GaAs／p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1．08．n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义．

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