MOCVD外延Al2O3基AlGaN/GaN超晶格的结构和光学特性

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:rliang
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通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的AlGaN/GaN超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性.X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向.透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布均匀,实际周期为13.3 nm,且观察到高密度的位错存在于外延膜中.通过光学试验数据,确定了试样的光学吸收边都是
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