【摘 要】
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采用电子束蒸镀在ITO上沉积Hf O2,研究了不同退火工艺对其电学性能的影响。当450℃时O2退火,Hf O2的漏电迅速增加,通过X射线衍射发现Hf O2有单斜相等结晶生成。450℃下N2退火
【机 构】
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高分子光电材料与器件研究所发光材料与器件国家重点实验室华南理工大学材料科学与工程学院,
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采用电子束蒸镀在ITO上沉积Hf O2,研究了不同退火工艺对其电学性能的影响。当450℃时O2退火,Hf O2的漏电迅速增加,通过X射线衍射发现Hf O2有单斜相等结晶生成。450℃下N2退火,Hf O2结构则没有明显晶体和晶界结构,且N2气氛退火的Hf O2漏电约为O2气氛退火的1/10。
Hf O2 was deposited on the ITO by electron beam deposition. The effects of different annealing processes on the electrical properties were studied. When O2 is annealed at 450 ℃, the leakage of Hf O2 rapidly increases. The X-ray diffraction shows that Hf O2 has a monoclinic equivalent crystal formation. N2 annealing at 450 ℃, Hf O2 structure without obvious crystal and grain boundary structure, and annealing of N2 atmosphere Hf O2 leakage is about 1/10 of O2 atmosphere annealing.
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