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采用张应变量子阱结构,生长了光放大器材料.利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量,得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构.
1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长
【摘 要】
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采用张应变量子阱结构,生长了光放大器材料.利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量,得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
：
半导体光电
【发表日期】
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2003年4期
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