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在回顾了多值逻辑（MVL）电路的优点、分析了共振隧穿器件（RTD）电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电路的新概念,并指出了此研究领域的几个重点研究内容和方向。
CMOS负阻单元逻辑电路及其发展前景
【摘 要】
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在回顾了多值逻辑（MVL）电路的优点、分析了共振隧穿器件（RTD）电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电
【机 构】
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天津工业大学信息与通信工程学院,天津大学电子信息工程学院,中国科学院半导体研究所
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2010年8期
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