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采用脉冲激光沉积法在SnO2：F（FTO）衬底上制备了单一c轴取向生长的ZnO和ZnO：Cu薄膜,并对具有Au/ZnO/FTO和Au/ZnO：Cu/FTO三明治结构的器件进行了阻变特性测试。结果显示：两种器件在室温电场作用下均显示出双极可逆变阻特性;Cu掺杂使ZnO薄膜的开关比大幅增加,电流–电压曲线拟合结果显示这是由Schottky结界面机制产生的高低阻态引起的。