【摘 要】
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半互穿聚合物网络(semi-IPNs)是设计形状记忆聚合物的一种模型网络结构.为了探究semi-IPNs中非交联网络组分的结构形态对形状记忆高分子性能的影响,文中设计制备了形状记忆聚甲基丙烯酸甲酯/星形聚乙二醇半互穿网络聚合物(PMMA/SPEG semi-IPNs),探究了SPEG分支长度对其力学强度、热性能、相分离程度、动态力学性能和形状记忆性能的影响,阐明了形状记忆PMMA/SPEG semi-IPNs中SPEG的支化结构与形状记忆性能之间的关系.基于Ed-wards管道模型理论分析了SPEG支化结
【机 构】
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临沂大学 材料科学与工程学院,山东 临沂 276000;中国科学院成都有机化学研究所,四川 成都 610041
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半互穿聚合物网络(semi-IPNs)是设计形状记忆聚合物的一种模型网络结构.为了探究semi-IPNs中非交联网络组分的结构形态对形状记忆高分子性能的影响,文中设计制备了形状记忆聚甲基丙烯酸甲酯/星形聚乙二醇半互穿网络聚合物(PMMA/SPEG semi-IPNs),探究了SPEG分支长度对其力学强度、热性能、相分离程度、动态力学性能和形状记忆性能的影响,阐明了形状记忆PMMA/SPEG semi-IPNs中SPEG的支化结构与形状记忆性能之间的关系.基于Ed-wards管道模型理论分析了SPEG支化结构对形状记忆PMMA/SPEG semi-IPNs形状记忆性能的影响机制,采用蠕变测试对其理论分析进行了验证.研究结果表明,随着SPEG分支长度的增大,形状记忆PMMA/SPEG semi-IPNs中的物理缠结作用增强,分子链松弛过程变慢,材料的玻璃化转变温度升高,模量增大,蠕变柔量增大,固定率降低,回复速度显著增大.
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设计合成了新型喹啉酮-香豆素类比色荧光探针7-二乙氨基-3-[3-(7-二乙氨基)香豆素基-3-氧代丙烯基]喹啉-2-酮(QCO),用于检测水溶液中的Hg2+.探针QCO对Hg2+表现出高选择性和强抗干扰性.此外,Hg2+引起探针QCO溶液的颜色变化明显,可裸眼识别.比色法中,吸收值比(A500/A380)与Hg2+浓度呈良好的线性关系,其检出限为2.62×10?8 mol/L.荧光法中,探针QCO对Hg2+的检出限为5.42×10?8 mol/L.经等摩尔变化(Job\'s Plot)法、质谱及红外
以4,4\'-双(氧基(1,4-苯撑))-双二氮杂萘-1(2H)酮-二苯醚(OBDHPZ)、4,4\'-二氟二苯砜(DFS)和4,4\'-二氟二苯酮(DFK)为单体,采用高温溶液缩聚法,通过调节DFK的含量,合成一系列含双二氮杂萘酮联苯结构聚芳醚酮(PB-PESKs)热塑性树脂.通过核磁共振氢谱、红外光谱及元素分析表明所合成的聚合物结构与设计结构一致.PBPESKs系列聚合物的玻璃化转变温度在298～324℃之间,5％热失重温度在512～517℃之间,同时PBPESKs树脂在NMP、DMAc、
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在银纳米线(AgNW)溶液中引入5％聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS)溶液,以淀粉膜为基底制备AgNW/PEDOT柔性透明导电膜.研究了导电膜的分子构造特性及导电机理,并对其透光率、粗糙度、柔韧性及应用稳定性进行了对比分析;探究了产品性能变化的规律和趋势.相比于AgNW导电膜,AgNW/PEDOT导电膜通过导电聚合物链和金属纳米线之间的电荷载流子传输,有助于电子通过跳跃机制进行电荷传输,杂化膜的电导率提高;PEDOT:PSS溶液的存在使AgNW对光的散射作用减弱而透光率略微降低,同时
通过特定的焙烧过程制备了不含碳酸根的Mg-Al型层状双金属氧化物.该层状双金属氧化物在废水中可水解为层状双金属氢氧化物,从而能够通过四级串联吸附处理的方式将模拟核电厂含硼废水中的硼浓度由初始的2000 mg/L显著降低至10 mg/L,满足内陆拟建核电厂需要将含硼废水硼浓度处理至30 mg/L以下的技术要求.在pH=10.61,固液比为1/40 g/mL,吸附温度为20℃条件下,吸附剂的硼吸附量可高达39.64 mg/g.此外,还在分子层次上讨论了中间氧化物的形成机理以及其水解生成层状双金属氢氧化物的机理
对2～6个环的多环芳烃的氢提取反应类进行了系统研究,提取氢原子的不饱和自由基包括丙炔基自由基(C3H3)、烯丙基自由基(C3H5)、丁二烯基自由基(nC4H5,iC4H5)、环戊二烯基自由基(C5H5)以及苯基自由基(C6H5).采用M06-2X/cc-pVTZ方法得到了多环芳烃的电子结构信息,利用过渡态理论并结合Eckart隧道校正,计算了所有反应在500～2500 K范围内的反应速率常数.考察了多环芳烃的大小、结构对反应速率常数的影响,对比了不同氢提取自由基及不同氢提取反应类型的速率常数.结果表明,多
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